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991.
硬脆材料专用ELID磨削液的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
本文在已有新型通用ELID磨削液(HDMY-20型)的基础上,根据硬脆材料的磨削特点和ELID磨削过程中磨削液的电解修锐生膜缓蚀作用、结合通用ELID磨削液的研制经验.通过增添表面活性剂、稳定剂、防锈剂、油性极压剂和调整无机盐等成分的比例关系.优化出适合硬脆材料ELID磨削最佳状态的专用ELID磨削液。应用此磨削液磨削硬质合金表面粗糙度可达Ra0.007μm比通用型磨削液磨削的硬质合金Ra值降低了0.005μm。 相似文献
992.
993.
994.
《有色金属与稀土应用》2007,(4):28-28
一种高纯度Si-Ge系合金靶,其杂质少、成膜时厚膜均匀,此外颗粒的发生少、均匀性和膜组成均衡,溅射性能良好,可得到膜厚均匀、漏电流少的膜特性优异的Si-Ge系溅射膜。该高纯度Si-Ge系合金靶的制造方法,是除去气体成分,在高真空中熔炼、铸造纯度5N(99.999wt%)以上的成为高纯度Si-Ge系合金靶及主成分的高纯度Si及高纯度Ge,制作合金锭,在通过将其粉碎制成Si-Ge系合金微粉末后,烧结该微粉末成合金靶。 相似文献
995.
996.
用真空双源蒸镀法在Si单晶衬底上制备了Fe,Dy原子数比为3:2的Fe─Dy成分调制多层膜.用AES、RBS、X射线衍射(XRD)以及磁性测量分析了Ar^(+)混合前后Fe─Dy多层膜的相交.Ar^(+)离子注入能量110keV,剂量5×10^(15)─1×10^(17)/cm~2.结果表明,注入剂量为1×10^(17)/cm~2时,Fe,Dy完全混合,并且由晶态的Fe,Dy完全转变为Fe_(60)Dy_(40)(近似于该化学配比)的非晶态合金,随Ar^(+)注入量的增加,Fe一Dy多层膜的M_s下降,在剂量50×10^(15)/cm~2时下降幅度最大。 相似文献
997.
998.
CVD金刚石膜{100}取向在改进化学反应模型下生长的原子尺度模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响,结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的生长。 相似文献
999.
用钌酸铅、钽钌酸铅、钛酸钡、玻璃粉配制电阻浆料,印烧成电阻器,考察短期过负荷性能。结果证明钌酸铅不适于做高阻高压浆料导电相;钽钌酸铅适于做高阻高压浆料导电相;钛酸钡是合适的改性剂。电阻体均匀性对短期过负荷起重要作用。 相似文献
1000.