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61.
片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。  相似文献   
62.
集雨节灌具体的讲也就是窖灌农业.是近几年来在干旱缺水山区发展的一种新型节水农业工程.它具有实用、高效、省钱、简便易行等优点.这种工程就是利用水窖、水池等蓄水工程在降水丰沛季节蓄水,到农作物干旱需水时,采取节水措施灌溉农田,用有限的水源浇灌一定面积的农田,使其达到优质高产高效的目的,促进农业生产的发展.根据全县水资源分布状况和气候、地理、地质等先决条件,我们认为,在山区发展集雨节灌既有其必要性,也具备可行性.其必要性主要体现在以下几个方面:  相似文献   
63.
当今世界PCB生产正处于围绕着SMB(表面安装印制板)为中心进行技术变革和颠峰发展时期。SMB给PCB行业带来了新要求、新档次和新发展,它要有新材料、新设备和新的工艺技术相适应。目前PCB围绕SMB为中心进行技术变革的目标是:高精度高密度化技术;多层薄板化技术;高密度互连(HDI)技术;高平整度化板面技术;板面保护性涂覆技术;自动化高量产化生产;并随之推动与SMB相关的设备,材料和化学药品等的革新与发展。目前全世界PCB生产形势一片大好,今年全世界PCB产量和产值将创历史纪录。产值将达到220亿美元,今后仍以年均7—8%速率持续增长着。今后亚洲PCB产值增长将引人注目,除日本外的亚洲PCB产值将会以大于13%的速度持续增长至2000年以后。  相似文献   
64.
美高森美公司推出专为企业应用磁盘驱动器供电的DC-DC调节器系列。LX71672A、LX71693A和LX7165 5A DC—DC凋节器基于美高森美独特的灵活架构,并包含正在中请专利的控制技术。  相似文献   
65.
介绍了嵌入式并联λ8/4(λ8为波长)的开路支节的基本结构与特性.采用带状线,设计了一款中心频率为2.46 GHz、阻带宽度50 MHz、最大阻带衰减为60 dB的三阶嵌入式并联开路支节窄带带阻滤波器.与传统的并联开路支节带阻滤波器相比,嵌入式并联开路支节带阻滤波器的横向尺寸减小,结构紧凑.采用阶梯阻抗谐振器(SIR)结构,按相同指标设计了一款三阶嵌入式SIR窄带带阻滤波器.与嵌入式并联开路支节带阻滤波器相比,嵌入式SIR带阻滤波器结构更为紧凑,纵向尺寸缩小约17.5%,并具有更好的谐波抑制特性.  相似文献   
66.
EMSF61XA微球测井仪是石油勘探重要的电法测井仪器,主要用于探测钻进地层的冲洗带电阻率Rxo1,配合DLL双侧向测井的浸入带和原状地层电阻率,可以很好地判断地层的渗透性等。在过去的2年里EMSF61XA测井仪器2在测井或保养仪器过程中不断出现相敏检波板厚膜电路N1损坏的问题,造成测井作业返工,极大地影响了测井时效,增大了设备的维修成本。文中通过对问题发生过程的综合判断和进一步地测试,发现了问题根源,并通过仪器电路的改进来最终消除了问题发生的根源,使仪器可靠地工作。  相似文献   
67.
随着国内外光通信行业的发展,光纤光缆的制造技术也得到了长足的发展,目前管道资源日益紧缺的情况下,架空光缆成为解决管道资源紧张的有效措施之一,尤其是自承式架空光缆借助其施工便利而备受青睐.本文重点介绍简易型架空光缆的结构设计原理、关键制造工艺技术及应用,为光缆小型化低成本提供一定借鉴意义.  相似文献   
68.
针对桥梁的节段梁生产运输方案,分析了近些年已建、在建的具有代表性的桥梁工程节段梁生产运输方案的制约因素,提出了基于改进层次分析法(AHP)和熵权法的节段梁运输方案分析方法。该方法通过定量、客观和可信的分析结果,克服了传统测评中各指标权重确定方法的局限性,做到静态赋权与动态赋权相结合,为建筑单位制定正确、合理和具有高效生产效率的节段梁运输方案提供了重要参考。分析结果表明:对于本文案例中桥梁,方案三和方案二综合指数分别为0.6986和0.6901,在所有方案中排序靠前,而方案一综合指数为0.4140,排序第6,为不宜采用方案。  相似文献   
69.
粒子群算法优化神经网络结构的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对BP神经网络初始权阈值确定的随机性和隐含层节点数的不确定性,通过利用十进制粒子群优化算法(DePSO)和二进制粒子群优化算法(BiPSO),同时优化神经网络的初始权阈值和结构。通过粒子群优化算法首先确定一个较好的搜索空间,然后在这个解空间里利用BP算法对网络进行训练和学习,搜索出最优解。通过函数拟合数值实验对该模型来进行训练和测试,相比其他算法,该模型可以获得较高的预测精度,结果表明该方法是可行的。  相似文献   
70.
正3.10光刻将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难,今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22 nm半节距DRAM和16 nm半节距闪存选择一种光刻方法,但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩(ArF)浸入光刻技术并不能在40 nm及更小的半节距尺度有多大发展,而且使用二次图形的氟化氩浸入技术也不能满足这些节距的要求。下一步的发展可能要依靠三次甚至四次曝光,EUV光刻,或者其  相似文献   
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