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状态方程实验靶场包括实验所需的探测设备和相关的监测设备。根据相关实验的进展,在原有靶场条件下,进行了相应的工作,包括条纹相机的检测、靶及靶架的改进、阻挡溅射设计和靶位监测系统的建立。 相似文献
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GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。 相似文献
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