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文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。 相似文献
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晁国胜 《化学推进剂与高分子材料》1991,(2)
提出了阻燃剂的高效液相色谱(HPLC)分析条件,制备了纯组分,测定了校正因子,考察了方法的精密度和回收率。分析结果表明该合成产品已达到国外同类产品水平。 相似文献
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为了用连铸法生产需求量极大的准沸腾钢,作为整个工艺,在采用BOF和RH法的同时,改进连铸造法,确立了一个稳定的生产系统。 相似文献