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基于体全息技术的WDM器件 总被引:2,自引:0,他引:2
利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能,并报道了国外对该项技术的研究进展。 相似文献
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宋健 《计算机测量与控制》2002,10(5):281-283,297
宋健同志这篇文章,站在世纪之巅,纵观百年历史长河,高屋建瓴,激情洋溢,把浩若繁星的工程科技成就,编织成一幅壮美的历史画卷,展示在世人面前,让人感受到科技作为第一生产力的神奇及作为历史前进杠杆的威力,看到了科技创造现代文明和人民福祉的不朽功绩,使人读来不禁由然产生了对一代代工程科技专家们的由衷敬佩。中华民族需要一批科学家挺进在世界科学前沿,更加需要众多世界一流的工程科技专家涌现出来,我们愿更多的有志英才,读过此文后,更加热爱和崇尚工程科技事业,投身于工程科技大军,为建设中国现代化奉献智慧和力量,去创造工程科技新的辉煌。 相似文献
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本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)的优势,进展及其在工模具领域的应用。 相似文献
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赤血盐〔K_3Fe(CN)_6〕是化学、医药、造纸、彩色胶卷等许多工业中经常使用的重要化学试剂和化工原料,在电镀、制革及钢铁工业中的应用更具有悠久历史。目前在选矿及其它领域也找到了一些新的用途。过去生产 K_3Fe(CN)_6均采用化学氧化法,使用氧化剂有 Cl_2、KMnO_4、O_3等。自本世纪60年代以来,欧洲一些厂家相继改 相似文献
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引用自调节功率电热带取代原始的仪表管路保温措施,保证冬季仪控系统的正常工作,取得一定经济效益和环保作用. 相似文献
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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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近几年来,随着国民经济和城市旅游业的发展,新型装饰材料有了较快发展。不论在材料品种,产品性能,生产能力和应用技术上都有了一定的进步。新型装饰材料已经在公共建筑和家庭装饰中得到了广泛应用。 相似文献