微测辐射热计的噪声分析

以电阻型微测辐射热计作为基本模型,分析其在电压偏置下的噪声特性.针对微测辐射热计中的约翰逊噪声、1/f噪声与辐射噪声,着重探讨了微测辐射热计的偏置电压、电阻、噪声带宽等参数对其噪声和信噪比的影响,并根据分析仿真结果,提出了三种增加微测辐射热计信噪比的方法.     

非晶硅室温微测辐射热计的研制

将聚酰亚胺作为绝热材料,对传统室温微测辐射热计结构进行了改进,成功制备了非晶硅室温微测辐射热计并进行了测试。以聚合物材料作为绝热材料,避免了表面牺牲层工艺和体加工技术,降低了成本、提高了成品率。在传统探测器结构基础上,在底部制备一层金属用作红外反射层,利用吸收层可以对红外辐射进行二次吸收。金属层和有源层间的隔离层对红外也有很好的吸收效果,由隔离层、有源层和钝化层构成三明治结构,可以显著改善对红外辐射的吸收。对器件的制备工艺进行了说明并对器件特性进行了测试,结果表明,在773 K黑体源8～14 μm红外辐射下,探测器的响应度最大为26.4 kV/W,表明器件具有较高的性能。     

非制冷微测辐射热计的热学设计与分析

电压灵敏度和热时间常数为表征微测辐射热计热性能的两个重要参数,热绝缘结构尺寸是决定性能参数的首要因素。首先采用解析法计算,并分析了这两个性能参数随结构尺寸改变的规律,确定一组能兼顾电压灵敏度及热时间常数的结构尺寸优化值,再利用有限元分析法对此优化结果加以模拟和验证,为下一步微测辐射热计的研制提供了可靠的理论依据。     

日本研制出性能远好于普通测辐射热计的远红外量子探测器

日本东京大学的一个研究小组已研制出一种利用掺杂AlGaAs/GaAs异质结中的二维电子回旋共振的远红外光学探测器。该器件用一种叫做霍耳条(Hallbar)的结构制备,其在4.2K时的响应率为1.1×10~7V/W,比市场上出售的测辐射热计高1000倍。峰值探测率达     

采用红外光源及高温测辐射热计的气体探测仪器

本发明提供一种红外气体探测仪器,该仪器内部装有一个用于传导电流和产生红外辐射的光谱源/测辐射热计组件。该光源/测辐射热计组件排列在一条轴线上,它有一个温度和一个特性电阻,特性电阻是温度的一个预定函数。该仪器还包括一个聚光反射器,这     

CMOS工艺制作的横向多晶硅p+p-n+结的温度特性及其应用

应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p p-n 结,对其正向电流-电压的温度特性进行了理论分析和实验研究.实验结果表明:横向多晶硅p p-n 结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27 ℃),恒定的正向偏置电流(1 μA)工作条件下,横向多晶硅p p-n 结正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K,与理论计算值相吻合;并且应用横向多晶硅p p-n 结正向压降的温度特性,研制成功非致冷红外微测辐射热计, 其黑体响应率Rbb(1 000 K,10 Hz)=4.3×103V/W.