露天地下楔形过渡协同开采技术研究与分析

对于进入开采末期的特大型深凹露天矿山,在由露天开采经转入地下开采时,会面临产能接续困难和安全生产条件差等问题。利用露天与地下开采的工艺优势构建楔形过渡协同开采模式,并对协同采准和诱导崩落首采区的技术要点进行梳理,在大孤山铁矿进行验证。结果表明,楔形过渡协同开采技术能保持矿山产能稳定,对实现特大型铁矿山露天转地下开采安全稳定发展效果显著。     

略谈“过渡照明”

简要阐述了“过渡照明”的概念及需要设置“过渡照明”的场所。通过实例讲解了“过渡照明”的计算方法及需要注意几点要素。     

二氧化钛过渡层对脉冲激光沉积钛酸锶钡薄膜微结构和介电性质的影响

选取极薄Ti02作为过渡层,采用脉冲激光沉积法分别在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备了Bao.6Sro.4TiO3(BST)薄膜,研究过渡层对BST薄膜微结构及电学性质的影响.发现厚度20纳米以内的锐钛矿相结晶TiO2过渡层可使BST薄膜由无规则取向转变为(111)择优取向,而非晶和较厚TiO2过渡层对BST薄膜的取向无影响.结晶的TiO2过渡层也使薄膜的表面颗粒变细.还研究了不同厚度TiO2对BST薄膜电学性质的影响,结果表明BST薄膜在Pt(111)底电极上加入极薄的结晶TiO2过渡层后电学性质有明显改善,薄膜的介电常数和可调谐度提高,而介电损耗降低.加入膜厚约5nm的TiO2过渡层后,测试频率为10 kHz时薄膜相应介电常数、介电损耗及可调谐度分别为513、0.053和36.7%.     

pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。     

Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用

采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。     

利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度

给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系.这种方法的最大优点是精确和简便,并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱.     

西安市过渡季节办公建筑室内热环境研究

根据在过渡季节里对所选取的办公建筑进行现场测试所得的数据,并通过分析调查问卷内容得出:西安地区过渡季节气候相对比较舒适。这个季节室内主观热感觉中性温度与当PMV=0时的室内温度值较接近,分别为25.6℃、25.24℃。     

紧跟CCD器件的CMOS探测器

经过数十年的研究与发展,互补金属氧化物半导体(CMOS)探测器有可能在各种应用中取代随处可见的电荷耦合器件(CCD),而且不单单是在成像技术方面。CMOS器件可做在与微处理器使用的芯片相同的芯片上,在过去的     

CMOS四路可加权高频模拟开关的设计和研究

介绍了一种可对高频信号进行取样、加权、控制、叠加的模拟信号处理开关集成电路,通过两个高宽长比的高跨导NM O S晶体管可实现权值的粗调和微调。该电路采用标准0.6μm CM O S工艺制造。测试结果表明:该电路的工作频段为50~250 MH z时,导通时最小插入损耗约为-5.0~-10.5 dB,关断时隔离度可达-40.5~-23.4 dB左右;其连续可调的加权动态范围最大值为21.3 dB。     

江苏省水稻节水灌溉技术应用及研究进展

江苏省地处我国东部沿海,属暖温带与北亚热带过渡地区,全省平原面积占68.9%,湖泊水面占16.3%,年平均气温13.2℃～16℃,年均降雨量996mm,自然地理条件较好,适宜农作物种植。水稻是江苏省的主要粮食作物,全省水稻播种面积233.3万hm2。