Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究

RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2TiO+5Si=2TiSi_2+SiO_2能够发生,并以此解释了退火中各层的变化规律。     

灰度／深度图像序列的三维空间内插──一种新的计算机图像生成技术

本文提出的灰度／深度图像序列的三维内插方法,摆脱了原实摄路径限制,可在空间内任意巡行,采用空间稀疏化采样,从而达到大量节省存储量和高度灵活地可控再现空间场景的目的,为解决三维内插中庞大的计算量,我们研究了快速而实用的散点算法和深度适应的Ｗａｒｐ算法。通过介绍三维内插的几种简单情形,导出了一些简单、实用的算法。计算机仿真结果显示了这一新方法是完全可行的。     

水泥生产中预加水成球微机控制系统

叙述水泥生产中以ＳＴＤ８０９８微机系统为核心组成的生料预加水成球控制系统的构成、工作原理及软件结构。该系统目前已在云阳钢铁厂水泥分厂投入使用，效果良好，成球合格率在９０％以上。     

8098单片机模拟量输入和输出通道

文章针对８０９０单片机的特点，提出了一种利用８０９８内部资源获得高分辨率的Ａ／Ｄ转换结果及Ｄ／Ａ输出的方法。这种方法硬件结构简单，易于实现，对于８０９８单片机构成的测控系统有一定的实用价值。     

小型化直流电源发展动态

随着电子整机向小型化、轻量化方向的发展，对整机所用的直流稳压电源也提出了小型化的要求。本文叙述了国外ＤＣ／ＤＣ变换器的研究与开发情况，介绍了国内发展集成化直流稳压电源的现状，分析了国内市场对ＤＣ／ＤＣ变换器的需求。对国内外在该领域的技术水平进行了比较，提出了发展我国小型化直流电源的对策。     

测向误差的校正

论述系统测向误差的种类，性质，测向误差校正的基本原理，误差校正区的设计及误差的校正计算。给出了插值计算的主要流程及模拟计算结果。模拟结果表明，该方法具有良好的误差校正效果。     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。     

卫星广播电视接收机用的140MHz声表面波滤波器

本文介绍了卫星广播电视接收机用中心频率140MHz,3dB带宽为20MHz的声表面波滤波器的设计,给出了器件的性能和使用结果。     

一种单片高速八位A／D转换器的设计

本文介绍了一种硅双极型单片大规模集成8位逐次近似A/D转换器X1001的电路设计,这种电路采用了自锁式电压比较器和高速低功耗ECL逻辑电路,转换时间为400ns,是单片集成逐次近似A/D转换器中速度最快的器件。     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构

用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.