应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

专业电声系统的信号噪声比和动态范围

从事专业声频工作专业人员对电声设备的许多重要技术指标都是很熟悉的。随着近几十年技术、工艺的进步和许多设备的数字化,有些传统上重要的技术指标如频率响应、谐波失真等都已不再是问题,几乎任何一台设备都可达到频率响应20~20kHz±0.5dB,在全频带内谐波失真小于0.1％的水平。与此同时,另外有些重要指标例如最高输入电平、最     

多层梁机电耦合系统的等效电路宏模型

实现MEMS器件系统级模拟的关键是建立其宏模型.由单层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型, 已做过深入的研究,但实际的MEMS器件通常都是多层的.本文提出了一种基于力-电压(F-V)类比的、适用于由多层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型,该模型可进行小信号时域和频域分析, 能为多层梁机电耦合系统的设计带来很大的方便.模拟结果表明,该模型具有较高的精度.     

大坝监测自动化中的人工比测研究

阐述了人工比测的概念、方式和数据分析方法,对人工比测及数据分析中应注意的问题也进行了深入研究。     

含锌离子的聚硅硫酸铝的合成及性能研究

采用一步法制备聚硅硫酸铝絮凝剂合成了含锌离子的聚硅硫酸铝并研究了其性能.含锌离子絮凝剂是一种无毒高效的絮凝剂,且絮凝效果优良,锌离子含量对絮凝剂性能影响很大.     

高压气体流量测量中流量计的选择和应用

结合高压气体流量测量的实际使用情况,根据使用对象和范围,对几种适合工作要求的流量计的特点进行了分析比较,重点介绍了热式质量流量计和Coriolis力质量流量计的原理,以及它们在研制工作中的应用情况和需要注意的问题.     

连续波雷达测距中的解模糊技术

研究连续波雷达测距中的距离模糊问题，分析几种常用解模糊方法的性能，并讨论参差比的选取对测距范围的影响。     

陆比原油的综合评价

对陆比原油进行了综合性的评价，并与大庆油进行比较，主要包括原油评价和变压器油评价两部分，对陆比原油、窄馏分、石脑油馏分、3^#航煤馏分、柴油馏分、润滑油馏分、催化馏分、渣油馏分和变压器油进行了较为详细的研究．并得出了一些与生产极为密切和有意义的结论。     

利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。