清华比威网络选择IDT网络搜索引擎

清华紫光比威网络技术有限公司选择IDT75K62100网络搜索引擎(NSE),以加速中国首个支持下一代互联网协议IPv6的BitEngine12416核心路由器信息包处理。IDT NSE器件有助于核心路由器实现3.2Mbit/s的传输率,可使许多新出现的符合IPv6规范的应用实现高性能通信。IDT75K62100NSE为网络带来许多性能和设计优势。利用从2～18Mbit密度的引脚兼容特性,网络可使用一种支持多个NSE配置的设计。该器件也支持动态数据库管理,具有选择要搜索的特定应用数据库的能力,并可降低功耗70%。x36-x576可同时支持IPv4和IPv6转发和策略查找。IDT提供…     

复杂目标的近场散射特性分析

详细分析了目标散射随距离而变化的特征，根据散射特点的不同将目标的散射特性分为远场散射、准近场散射、近场散射等三种情况，并对三种情况下的描述的手段进行了讨论，提出在近场条件下，用反射功率比的概念直接对散射目标的特性进行描述。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

互联网有一条长长的尾巴

两周前，我想给我的手机买个硅胶套。花了两天时间，跑遍了重庆市的IT卖场，竞没有找到一款合适的。一气之下决定在网上购买。从开始找卖家到下单，只花了一个小时，隔了一天，快递就为我们手机送来了新衣服。仔细算了一下，我四处寻找硅胶套那两天，劳累不说，花的车费钱，就比快递费多得多。     

妥帖呵护与众不同--屏幕贴与硅胶套

现在手机的“面子”越来越大，屏幕被硬物划伤的可能性也随着增大。尤其是一些触摸屏手机，就算不发生意外，每天的手写、触控也会让屏幕上积累出诸多划痕。于是，手机屏幕贴开始流行起来，小小一张贴纸，就能最大限度地保护手机屏幕不受损伤。对那些大屏幕、触控操作的PDA手机来说，还能凭借完好无损的屏幕在以后出手时卖个好价钱！ 硅胶套则是随着iPod的流行而兴起的一种保护用具，强调时尚的用户能更喜欢花样百出的手机皮套，布套。硅胶套则是另一个极端——所有的硅胶套都是半透明的，没有什么花样，但这是手机的另一个外壳，一旦套上就无须取下，也基本上不会对正常使用造成不利影响。 硅胶套与屏幕贴，内外相济，为手机提供最妥帖的呵护。希望自己的手机用上一年半载之后还完整如新吗？那就快去选择合适的屏幕贴与硅胶套吧！[编者按]     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析

基于参数化的计算机辅助设计（CAD）软件，对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模，以有限元分析软件为工具，进行了谐振器的模态分析，静态分析和谐响应分析，初步揭示了谐振器的静、动态特性，有助于改善设计效率和质量，展示了计算机辅助工程（CAE）技术在微机电系统（MEMS）研究中的重要作用。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。