Ba2+取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响

研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品的密度降低,εr(2863)和d33(507pC·N–1)显著提高,居里点向室温移动。     

厚度切变模式高频谐振器用压电陶瓷

研究了Ｐｂ（ＺｒｘＴｉｙ）Ｏ３＋ＤＭｎＯ２＋ＥＣｅＯ２二元系压电陶瓷材料,以质量分数ｗ为５％～１０％的碱土金属元素Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ氧化物加入配方中,形成二价正离子,取代铅,再以适量的ＭｎＯ２,ＣｅＯ２氧化物作为添加物加入配方中,选择了合适的工艺,获得了性能优良的压电陶瓷材料,该材料已成功地用于制造１．５～６．０ＭＨｚ厚度切变模式高频谐振器。     

基于BSO的液晶空间光调制器

紫外光敏材料硅酸铋(BSO)在短波长的蓝紫光激励下电阻率会急剧降低,可作为良好的光信息写入材料,用作光寻址的液晶空间光调制器(LC-SLM)的感光层.介绍了以BSO为基的光寻址透射式液晶空间光调制器的结构和工作原理,从BSO晶体产生光电导效应的机理出发,得到了光电流和光照功率的关系.实验测量了BSO晶体片在不同频率和不同强度的光照下的光电响应.通过对液晶分子指向矢分布随电压变化的理论计算,得到了在不同光照强度下BSO基的液晶空间光调制器产生的光程差,与实验中液晶盒在不同电压下产生的光程差有相同的变化趋势.     

InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究

室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜材料的结构性能,发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀,在InPBi/InP界面出现了Bi的富集区,从该区域沿[001]方向出现了Bi的纳米面,此纳米面位于(110)平面上。这种Bi原子的富集分布阻碍了PIn反位参与的载流子复合过程,对InPBi的光学性能有显著的影响。研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础。     

类单晶PZT纳米纤维的静电纺丝制备探索

以硝酸锆（Zr（NO3）4·5H2O）,乙酸铅（Pb（CH3COO）2·3H2O）,钛酸四丁酯（Ti（OC4H9）4）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为原料,采用sol-gel和静电纺丝法,结合烧结工艺首次制备了在准同型相界附近的类单晶PZT纳米纤维.利用热重分析、X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜等表征方法,对类单晶PZT纤维的热分解过程、晶体结构、微观相貌和形成机理等进行了分析和解释.研究结果表明：经过400℃预退火0.5h以及750℃烧结2h后,可形成具有类单晶结构的PZT纳米纤维,纤维直径约在80 ～ 100 nm左右,晶体结构为典型的钙钛矿相.形成这种类单晶结构的主要机理是在预退火期,有机物充分分解形成无规则非晶网络,随着烧结温度的升高,取向基本一致的小晶粒经历了形核、长大、吞噬,最终形成类单晶纳米纤维.在准同型相界附近的类单晶PZT纳米纤维在纳米压电器件和微机电系统领域具有广泛的应用前景.     

晶粒尺寸对铁酸铋薄膜性能调控研究进展

铁酸铋是目前唯一在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的单相多铁性材料,因其具有丰富的物理性质以及广阔的应用前景备受关注。虽然理论上其具有较大的剩余极化强度、相对较小的带隙宽度以及较大的光吸收系数,然而,因受到尺寸效应等因素的影响,难以制备出性能良好的铁酸铋材料。因此,欲提高铁酸铋材料的性能并使之获得实际应用,研究晶粒尺寸对BFO薄膜性能的影响极其重要。晶粒尺寸对BFO薄膜性能(如铁电性、介电性、漏电性、光学性能和磁性能等)的影响规律目前还未有统一的定论。鉴于此,本文将近几年来国内外关于晶粒尺寸对铁酸铋薄膜性能调控方面的研究进行了归纳总结,并且提出了现阶段研究存在的主要问题。     

用正交法优化BST/MTO铁电移相器材料性能

利用正交试验方法研究了Bi2O3、MnCO3、SnO2等添加剂对钛酸锶钡/钛酸镁(BST/MTO)复合铁电移相器材料介电常数r、介质损耗tg以及调谐性T等性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。实验结果表明选择合适种类与数量的添加剂能有效提高铁电移相器材料的性能。通过正交试验获得综合性能优异的移相器材料性能:r=315,tg=0.002 8,T=14.27%。     

采用金属有机化合物热分解法研制锆钛酸铅薄膜

详细研究了采用金属有机化合物热分解法制备锆钛酸铅Pb（Zr0.53Ti0.47）O3铁电薄膜的工艺,讨论了影响PZT薄膜相结构的因素。