光学多层介质膜与多量子阱集成器件

本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。     

InAsSbBi和InSbBi:红外探测用的潜在材料元系

本文报导了三元合金InSb_(1-x)Bi_x(0.01相似文献   

掺铋光纤铋活性中心发光机理的研究进展

掺铋光纤具有独特的发光特性,在光纤放大器和激光器中有着广阔的应用前景。为了掌握掺铋光纤的发光机理,研制出高效率、高性能的掺铋材料,整理了掺铋光纤发光机理的研究成果,从铋活化中心的结构和发光特性出发,总结了掺铋光纤中不同结构与发光波长之间的关系。掺铋材料由于具有荧光寿命长、光谱范围宽等优点,有望在超宽带光源、超宽带放大器、可调谐激光器等领域得到更为广泛的应用。     

硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备

研究了采用单靶控溅射在Ｓｉ（１００）衬底上生长ＹＳＺ（钇稳定的ＺｒＯ２）ＢＳＣＣＯ（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件,包括生长温度,生长气氛,生长速率及氧化退化等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系,并获得了超导膜临界温度为８２Ｋ的ＢＳＣＣＯ／ＹＳＺ／Ｓｉ兼容材料。     

Ce—Si多层膜中铈硅化物的形成

超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。     

电化学腐蚀自停止制备SiO2上的Si膜的机理研究

本文将介绍制备厚度可控的SOI/SDB材料的新方法,重点讨论电化学腐蚀Pn结自停止效应的机理。     

微细问距COF连接研究

微细间距柔性(线路)板上芯片COF是解决移动显示模块轻薄短小化的重要方法之一.使用四点法测试接触电阻以及拉力和两组可靠性(加速湿度实验和热冲击实验)的测试比较,研究了30靘间距的倒装芯片采用金-锡共晶、金-金NCF、金-金共金3种连接方式的COF工艺.实验表明使用金-金NCF工艺的产品在经过504 h的可靠性测试后,依旧保持小于5∩的接触电阻,可靠性高,同时通过比较工艺流程,金-金NCF工艺变动成本低,只需通过对现有的,基于各向异性导电膜工艺的生产设备稍加变动,即可形成生产力.加速了企业微细间距COF技术转型并进入批量生产的过程.     

PZT压电薄膜无阀微泵的制备工艺及实验研究

介绍了一种基于PZT薄膜的无阀压电微泵。该微泵利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为泵膜,自制的压电圆型薄膜片作为驱动部件,采用收缩管/扩张管结构,压电圆型致动片和PDMS泵膜的组合可产生较大的泵腔体积改变。在对微泵制备工艺研究的基础上,对其性能进行了实验研究,结果表明:电压和频率对流速均有显著影响。在7.5 V1、80 Hz的正弦电压驱动下,该压电微泵的最大输出流速为2.05μL/min。该文制作的微泵具有流量稳定,驱动电压较低,性能稳定可靠和易控制等优点,可满足微流体系统的使用要求。     

新产品与新技术（67）

LED用覆钻石膜高散热印制板钻石是热传导性优于金属的材料,钻石可以形成纳米级的薄膜,称为似钻膜（DLC：Diamond Like Carbon）。DLC具有快速散热和释放应力的特性,而且DLC种类很多,不仅可调制成平滑的绝缘层,也能覆盖成具有纳米结构的导电层,可以被覆在金属、陶瓷、塑料等多种材质上发挥其特有功能。