光子晶体与光子晶体光纤

光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新材料，经过十多年的发展，已取得很大进展。光子晶体由于其优越性而具有极好的应用前景，不仅可使光通信领域产生新的变革，同时将对光电子领域及其相关产业产生巨大的影响。介绍了光子晶体及根据其原理开发的光子晶体光纤。     

晶体滤波器带外互调特性测量的研究

晶体滤波器作为军用通信机的重要器件，其带外互调特性的好坏直接影响通信机的抗干扰能力。目前各生产厂家还没有统一的测量方法，特别是当晶体滤波器的带外互调特性高于85dB时，在测量过程中很难避免由于测量信号自身所产生的互调影响。本文在介绍了互调的概念及晶体滤波器带外互调特性的基础上，提出了一种晶体滤波器带外互调测量的方案，该测量方案大大减少了测量信号问的互调作用，可以满足军用通信机对晶体滤波器带外互调特性的测量要求。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

载体比表面积及孔径对Nb_2O_5/α-Al_2O_3催化剂酸性及反应性能的影响

采用浸渍法制备了Nb2O5/α-A l2O3催化剂(简称催化剂)并用于环氧乙烷水合制乙二醇的反应,通过控制α-A l2O3载体中致孔剂的含量来调变载体的孔径、孔分布及比表面积;采用吡啶吸附红外光谱、氨程序升温脱附法研究了载体的比表面积及孔径对催化剂酸性及反应性能的影响。实验结果表明,产物的选择性受扩散因素及催化剂酸性的影响,而催化剂的酸量、酸密度可以通过载体的孔径及比表面积的变化加以调控。比表面积较小及孔径较大的载体对催化剂催化环氧乙烷水合制乙二醇的反应较为有利。当载体的比表面积小于0.80m2/g、孔径为4.00~8.00μm时,在反应温度160℃、反应压力1.5M Pa、n(H2O)∶n(EO)=22、液态空速25h-1的条件下,环氧乙烷的转化率大于99.8%,乙二醇的选择性超过89.9%。     

砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析

讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。     

如何用硅振荡器替代晶体和陶瓷谐振器

对于绝大多数微控制器时钟电路而言，硅振荡器是一种简单且有效的解决方案。与晶体和陶瓷谐振器不同，基于硅材料的定时器具有抗振动、抗撞击和抗电磁干扰的优点。同时，硅振荡器不需要严格匹配的定时元件和线路板走线。