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静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献
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Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
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本工作首次合成了Eu(DMBM)_2(2,2′-bipy)NO_3(DMBM=二对甲氧基苯甲酰甲烷,2,2′-bipy-2,2′-联吡啶)。通过元素分析、热谱、电导率、红外和拉曼光谱、质子核磁共振谱对所合成化合物进行了表征。在77K测定了固体配合物的激发光谱和发光光谱。光谱数据说明配合物含有两种Eu(Ⅲ)格位。配合物中三种配体在Eu(Ⅲ)周围的分布情况略有不同,显示出不同的晶体场效应。光谱数据表明,配合物中Eu(Ⅲ)格位属于非中心对称的点群C_1或C_3或C_2。 相似文献
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对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益,用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光纤放大器特性的影响,结果发现限制镨掺杂分布能改进光纤放大器的工作效率,且截止波长比芯层全部均匀掺镨的光纤更长。 相似文献
50.
在BSO晶体中同时掺入Ce和Eu离子,生长了Ce:Eu:BSO晶体,对晶体的二波耦合和四波混频性能了测试。结果表明,Ce和Eu离子对晶体的光折变效应起到了增强的作用。 相似文献