东大研制出世界顶级合金钢

据报道，东北大学冶金技术研究所研制的纳米结构合金钢通过科技成果鉴定。这标志着我国合金钢生产技术达到世界顶级水平，彻底摆脱轧辊依赖进口的局面。     

新型纳米催化剂

由中科院固体物理所和蚌埠化工研究所共同承担的安徽省科技厅“九五”攻关项目“固载型纳米催化剂研制及其在亲水性硅油合成中的应用”日前全部完成,并于近日通过了专家鉴定。专家们认为,成果达到了国内领先水平。固载型纳米催化剂的研制难度很大,国内外尚未见报道。3年来,固体所纳米中心的科技人员,在经过纳米功能膜改性的纳米多孔小球上,组装铂、钯等纳米粒子,获得了一种新型催化剂。以这种固载型催化剂代替氯铂酸,用于亲水性有机硅的合成,能多次回收和多次使用,可降低生产成本、提高产品质量。该项研究完成了预定的指标,其制备技术属国内     

潮流一体机美好家生活

2012年4月份．英特尔公司推出令人瞩目的第三代智能英特尔酷睿处理器,为消费者带来震撼人心的增强型视觉和计算性能体验。得益于领先的22纳米制造工艺。新款处理器现已应用于超薄一体机电脑。如今．超过65款基于第三代智能酷睿处理器的智能一体机电脑已经上市。     

碳纳米结构智能驱动材料研究新进展

在国家自然科学基金的支持下,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈韦课题组在碳管／石墨烯高浓度分散及液晶性取向结构调控研究的基础上,成功发展了高性能碳管和石墨烯柔性电极材料,重点研究了天然生物高分子／碳管／离子液体“三明治”复合结构的新型驱动器,同时实现了生物相容性、空气低压（〈3V）稳定电致伸缩、类天然肌肉驱动特性,     

Booklet突破想象的纳米粒子智能手机

现在研发人员使用了一种你绝对想不到的原材料来制作智能手机——纳米粒子！就是这些在生物医药、光学和电子领域发挥了巨大革命性作用的,微小的,接近于无形的物体。设计师II Shat Garipov看到了应用纳米粒子的广阔前景,于是动笔把这一款叫做Booklet的智能手机设计了出来。这是一款革命性产品,通过将制作手机的原料从传统的硅换成了纳米粒子,使得我们可以像翻书一样使用智能手机,非常奇妙。     

准一维石墨烯纳米结构理论研究取得新成果

近期,中科院合肥物质科学研究院固体所计算材料科学研究室曾雉研究员带领的课题组在氢化石墨烯（包括石墨烷纳米条纹GNS）的电子结构（能带结构、磁性等）和动力学稳定性研究上取得了新成果。他们成功地模拟和解释了一些实验现象,提出了原创性的器件设计制备方案。     

质量浓度对TiO2-导热油基纳米流体比热容的影响

本文利用HC2100流体比热测试系统,测量了3种不同质量浓度的TiO_2-导热油基纳米流体的比热容,研究了纳米颗粒质量浓度对比热容的影响规律,得到了纳米流体比热容与质量浓度和温度之间的关系式。实验结果表明:在导热油中加入TiO_2纳米颗粒,相同温度下与基液相比,导热油的比热容会有明显的增大。且随温度的升高,纳米流体的比热容也会随之升高。纳米流体的比热容随纳米颗粒质量浓度的增加,会出现先增大后减小的情况。TiO_2-导热油基纳米流体比热容与温度和质量浓度之间有十分显著的线性关系。     

纳米复合材料的环境安全性研究进展

纳米复合材料作为纳米材料在实际生产应用中的重要延伸,在高新材料生产、医疗设备革新和建筑材料研发等领域均被广泛应用,在应用过程中纳米材料从基体释放导致其流入环境产生安全性问题。目前对纳米复合材料的安全性研究主要包括两方面:一是纳米复合材料在环境中的迁移转化过程研究;二是纳米复合材料环境迁移转化产物对生物的毒性效应研究。     

二氧化硅包覆CsPbI3纳米晶薄膜的制备

卤化钙钛矿型(ABX3)纳米材料是近几年兴起的光电新材料,由于全无机钙钛矿CsPbX3(X=Cl,Br,I)纳米晶体的稳定性差,严重阻碍了实际应用,但因其具有窄带隙,在太阳能电池领域有着重要的应用前景.本研究在CsPbI3纳米晶周围使硅酸四甲酯(TMOS)发生水解反应,形成CsPbI3@SiO2纳米晶体复合材料,促使甲苯悬浮液的稳定性显著提高,发光稳定性可增加到29 d.通过进一步以聚(苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯)三嵌共聚物(SEBS)对复合材料进行包裹,得到具有良好透明性和可拉伸性的SEBS/CsPbI3@SiO2薄膜,在水中有保持24 h稳定荧光现象,在水中12 h能保持原有发光强度的53％,而未经二氧化硅包裹的SEBS/CsPbI3纳米晶薄膜在水中仅8 h就失去荧光.本研究不仅为CsPbX3的表面改性提供了一种新方法,有助于解决稳定性问题,而且以聚合物复合的薄膜具有可拉伸性,也可应用在柔性器件中,具有重要的应用价值.     

Nd－Fe－B基纳米晶合金的工艺研究

研究了利用快淬工艺制备纳米晶所采用的合金成分与特定工艺的关系以及各工艺参数对形成纳米晶的影响，并对由纳米晶结构导致的高剩磁现象进行了探讨。