全文获取类型
收费全文 | 65842篇 |
免费 | 4137篇 |
国内免费 | 2957篇 |
专业分类
电工技术 | 4529篇 |
技术理论 | 3篇 |
综合类 | 2833篇 |
化学工业 | 10762篇 |
金属工艺 | 3831篇 |
机械仪表 | 2842篇 |
建筑科学 | 5680篇 |
矿业工程 | 6834篇 |
能源动力 | 1073篇 |
轻工业 | 5599篇 |
水利工程 | 3075篇 |
石油天然气 | 4391篇 |
武器工业 | 638篇 |
无线电 | 8295篇 |
一般工业技术 | 4090篇 |
冶金工业 | 4322篇 |
原子能技术 | 662篇 |
自动化技术 | 3477篇 |
出版年
2024年 | 668篇 |
2023年 | 2229篇 |
2022年 | 2686篇 |
2021年 | 3039篇 |
2020年 | 2334篇 |
2019年 | 2170篇 |
2018年 | 1105篇 |
2017年 | 1540篇 |
2016年 | 1757篇 |
2015年 | 2163篇 |
2014年 | 4408篇 |
2013年 | 3293篇 |
2012年 | 3968篇 |
2011年 | 3881篇 |
2010年 | 3453篇 |
2009年 | 3642篇 |
2008年 | 4417篇 |
2007年 | 3446篇 |
2006年 | 3383篇 |
2005年 | 3468篇 |
2004年 | 2254篇 |
2003年 | 1997篇 |
2002年 | 1646篇 |
2001年 | 1479篇 |
2000年 | 1259篇 |
1999年 | 1076篇 |
1998年 | 935篇 |
1997年 | 805篇 |
1996年 | 698篇 |
1995年 | 655篇 |
1994年 | 581篇 |
1993年 | 464篇 |
1992年 | 465篇 |
1991年 | 454篇 |
1990年 | 413篇 |
1989年 | 398篇 |
1988年 | 55篇 |
1987年 | 55篇 |
1986年 | 49篇 |
1985年 | 36篇 |
1984年 | 43篇 |
1983年 | 16篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 17篇 |
1980年 | 9篇 |
1975年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1957年 | 1篇 |
1951年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
82.
83.
84.
85.
综述了环氧树脂基的PCB与无铅化组装的兼容性问题。经过大量试验表明,常规的FR-4基材和双氰胺固化的高Tg基材是不能满足无铅化组装要求的,而采用酚醛固化的中等-Tg的环氧树脂基材是可能成为无铅化组装用基材的。同时,PCB制造过程也起着重要的作用。PCB设计和再(回)流焊的加热梯度也影响着无铅化的性能。 相似文献
86.
一个EFI或飞片雷管包括一个爆炸箔(或桥丝)、一个飞片和一个隔板(barrel plate)。这个隔板有一个可移动的保险装置(barrier),它在保险状态时关闭加速膛(barre1),在解除保险状态时打开加速膛。这个可移动的保险装置从保险状态(关闭状态)滑动到解除保险状态(打开状态),是由一个MEMS高能作动器控制完成的。这个MEMS高能作动器的一个或多个闭锁装置使可滑动的保险装置处于关闭状态,当受到一个预定的刺激后,闭锁装置打开,释放滑动保险装置,解除EFI或飞片雷管的保险。 相似文献
87.
88.
89.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
90.