基于40 nm CMOS工艺的高效率功率放大器设计

针对硅基毫米波功率放大器存在的饱和输出功率较低、增益不足和效率不高的问题,基于TSMC 40nm CMOS工艺,设计了一款工作在28GHz的高效率和高增益连续F类功率放大器。提出的功率放大器由驱动级和功率级组成。针对功率级设计了一款基于变压器的谐波控制网络来实现功率合成和谐波控制,有效地提高了功率放大器的饱和输出功率和功率附加效率。采用PMOS管电容抵消功率级的栅源电容,进一步提高线性度和增益。电路后仿真结果表明,设计的功率放大器在饱和输出功率为20.5dBm处的峰值功率附加效率54%,1dB压缩点为19dBm,功率增益为27dB,在24GHz~32GHz频率处的功率附加效率大于40%。     

带内低RCS的高增益宽带Fabry-Perot谐振腔天线北大核心CSCD

本文提出一种具有带内低RCS的高增益宽带Fabry-Perot(F-P)谐振腔天线。利用类球形地的开放谐振腔,在谐振基础上激发高次模谐振来扩展F-P天线的宽带。利用尺寸可灵活独立调节的多层PRS单元,针对主极化辐射对天线高次模下辐射的表面电场相位进行调整,以降低方向图旁瓣电平;针对交叉极化散射,能实现约180°的反射相差,然后通过棋盘式布阵来实现带内交叉极化的单站RCS缩减。最终,设计并仿真了整体天线,得到3dB实际增益带宽为33.66-38.69GHz(13.9%),最大增益为24dBi,在33.66-37GHz(9.4%)内的旁瓣电平低于-8dB。在33.6-39.2GHz带宽内,主极化入射时天线具有较低的单站RCS;而对于交叉极化入射,天线单站RCS相较于地板降低了8dB以上。     

低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。     

针对双选择性衰落信道的联合期望传播与高斯近似迭代均衡算法

针对双选择性衰落信道,为提升信息传输的可靠性,设计了一种联合期望传播与高斯近似的迭代均衡算法。该算法借鉴高斯近似的思想,将接收信号中由多径传播效应导致的符号间串扰近似为高斯分布随机变量,进而计算数据比特的对数似然比信息,以较低的复杂度实现译码器与均衡器之间的信息传递。为了进一步提升高斯近似的准确性并改善迭代算法的收敛性,创新性地利用期望传播的处理准则对译码器输出的后验信息进行去相关处理。仿真结果显示,期望传播处理准则可以显著改善迭代算法的收敛性和均衡的准确性,与线性最小均方误差和NDDE等经典均衡算法相比,所提出的联合期望传播与高斯近似的迭代均衡算法可以获得1～1.5 dB的性能增益,有效提升了双选择性衰落信道下信息传输的可靠性。     

碲镉汞红外探测器的前沿技术综述

红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。     

深度图时域一致性增强

在自由视点电视(FTV)系统的发送端,数据由多摄 像机采集的纹理图和其相应的深度信息组成;在接收端,虚拟视点由视点纹理序列和估计的 深度信息经过3D变换绘制。因此,获取高质量的深度信息是FTV系统的一个重 要部分。由于当前非交互方式深度估计方法是逐帧进行的,所得到的深度图序列往往缺乏时 域一致性。理 想情况下相邻帧静止区域的深度值应该相同,但是对这些区域深度值的估计结果往往不同, 这将严重影 响编码效率和绘制质量。由于深度图表征的是纹理图中相应场景离摄像机的距离,所以可以 通过对纹理图 的有效分析,判断出错误的深度值。通过对深度值可靠性和当前区域运动属性的判断,提出 一种基于 自适应时域加权的深度图一致性增强等。实验表明,本文算法能有效抑制静止区域深度值 不连续的错误,产生 更加稳定的深度图序列,使虚拟视点的时域绘制质量得到增强,同时编码效率得到提高。     

Chemical solution route to synthesize claw-like ZnO nanorod array and its optical properties

By using a low-cost and facile hydrothermal method, a peculiar claw-like ZnO nanorod array is successfully synthesized. The hydrothermal growth is done in an aqueous solution with equimolar zinc acetate （ZAc, Zn（CH_3COO）2·2H20） and hexa methylenetetramine （HMTA, C_6H_12N_4）. The obtained ZnO nanorod array is characterized by X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscopy （SEM） and transmission electron microscopy （TEM）. The results indicate that the nanorods are high-quality monocrystals. The photoluminescence （PL） spectrum is performed to investigate the optical properties of this product.     

光学微纳结构红外隐身技术研究进展(特邀)EI北大核心CSCD

随着红外探测技术手段的多样化发展,红外隐身技术的需求日益迫切。由于传统的红外隐身技术面临着多途径目标探测和多功能兼容的严峻挑战,因此研究光学微纳结构红外隐身技术有着十分重要的意义。基于局域共振机制的亚波长尺度的光学微纳结构,极大地丰富了人们对光的传输行为的调控。在红外隐身技术领域,光学微纳结构可以针对红外辐射特性进行材料和结构的精细化设计,从而满足理想红外隐身发射光谱的需求,为发展更加多光谱、多功能、自适应的红外隐身技术提供全新的解决方案。文中围绕红外隐身技术的相关研究,首先介绍了多层薄膜吸收体、金属表面等离子激元、基于相变材料薄膜可调吸收体、智能化设计光学微纳结构实现光谱响应的基本原理,在此基础上,重点回顾了近年来基于光学微纳结构的红外隐身技术新特点,包括多光谱红外隐身技术、多功能红外隐身技术、自适应红外隐身技术的发展现状。最后,梳理了光学微纳结构红外隐身技术所存在的不足及面临的困难并对未来的研究方向和发展趋势进行了展望。     

OFDM系统中降低峰均功率比的研究

正交频分复用技术(Orthogonal Frequency Division Multiplexing,OFDM)非常适合高速通信系统,但存在高峰均功率比(PAPR)的问题。对OFDM系统中如何降低PARR的问题进行了研究,讨论了降低PAPR的主要方法,重点分析了选择性映射法(SLM),并在此基础上提出了一种基于预编码矩阵的改进算法,最后通过matlab进行了算法仿真,仿真结果表明,改进算法在使得OFDM系统在降低峰均功率比的性能上得到了进一步的改善。     

C波段小型化低相噪全相参频率综合器

提出了一种小型低相噪、低杂散的C波段全相参频率综合器设计方案。基带信号由DDS芯片产生,通过对环路滤波器和电路印制板的优化设计改善相噪和杂散性能,并与PLL输出的C波段点频信号进行上变频,得到所需信号。介绍了实现原理、相位噪声模型及设计方法。测试结果表明,在7.8GHz处,频综相位噪声≤-103dBc/Hz@100kHz,杂波抑制≤-61dBc。