日使用超临界CO2消除残留的光刻胶

日本索尼公司最新开发成功使用超临界CO2消除在制备超大规模集成电路过程（VLSIs）中的干燥-蚀刻残留的光刻胶。据这家电子设备制造商称：上述技术能使VLSIs的低介电常数层间薄膜和底板不受损伤。     

3-氯丙酰氯合成方法的研究

本文介绍了由丙烯酸、盐酸和二氯亚砜在常温常压条件下合成3-氯丙酰氯的新方法，具有原料易得，副产物少，操作简单，综合成本低，适合小型企业生产的优点；并对产物进行了熔点定性和高效液相色谱纯度分析。     

铈和锰掺杂纳米TiO2的溶胶-凝胶法制备及其光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备了TiO₂、Mn⁴⁺/TiO₂、Ce⁴⁺/TiO₂和Mn⁴⁺-Ce⁴⁺/TiO₂光催化剂。通过考察掺杂离子的种类和用量对所得催化剂用于紫外光催化降解甲基橙性能的影响，表明Ce⁴⁺/TiO₂中Ce⁴⁺的适宜掺杂量为1.0%，Ce⁴⁺-Mn⁴⁺/TiO₂中，当Mn4+的掺杂量为25.0%时，Ce⁴⁺的适宜掺杂量为0.50%，相应的脱色效率为92.39%和99.41%。当掺杂量适当时，四种催化剂用于紫外光催化降解甲基橙的活性次序为：Mn⁴⁺-Ce⁴⁺/TiO₂ > TiO₂>Ce⁴⁺/TiO₂> Mn⁴⁺/TiO₂。XRD分析结果表明，所得光催化剂均为锐钛矿型纳米粒子。     

3,4-二甲氧基苯乙胺的合成

对芳香乙胺化合物进行了研究,以选取适合工业生产的合成方法.邻苯二酚经醚化得到1,2-二甲氧基苯,收率96.7%,再选用高选择性的溴化剂溴化,收率96.5%,经格氏反应和羟乙基化反应制备3,4-二甲氧基苯乙醇,醇与对甲苯磺酰氯反应得到酯,收率97.0%,最后经Gabriel法可以制备3,4-二甲氧基苯乙胺,此步反应收率68.5%.通过实验对各步反应条件进行优化,为相关产品的研究开发提供了有效的途径.     

CdSe敏化TiO2纳米晶多孔膜电极的制备及其光电性能研究

研究了CdSe敏化TiO2纳米晶多孔薄膜电极的制备及其表征,采用涂敷法将溶胶-凝胶法制备的TiO2胶体制备成纳米晶多孔薄膜,采用化学沉积法制备的CdSe对其进行了敏化处理.敏化后增加了对可见光的吸收作用和光生载流子的输运速度,减少了CdSe上光生载流子的复合,改善了电极内光生电荷的传递特性,获得了较大的稳态光电流.这种薄膜电极改进后可用于制作敏化太阳能电池的光阳极.     

2,4,6-三硝基苯甲酸的合成工艺改进

对TNT(2，4，6-三硝基甲苯)氧化制备2，4，6-三硝基苯甲酸的工艺进行了深入的研究，结果表明氧化剂的种类、用量、加料方式及溶剂的种类对产物的收率有较大影响。TNT的较佳氧化工艺条件为：氧化20gTNT，以摩尔比为4：1的HNO3和HCI混合液作为溶剂，采用液体加料方式加入氧化剂KClO4 40g，2，4，6-三硝基苯甲酸的收率最高达96％。     

国内外ABS市场及应用概况

概述了ABS树脂在世界各区域及国家 (或地区 )的生产、供需及市场应用情况     

乙酸乙酯介质中脱氨基反应

在乙酸乙酯介质中,2,6-二氯-4-硝基苯胺(DCNA)经重氮化和还原脱氨基"一锅煮"方法合成出3,5-二氯硝基苯.乙酸乙酯不仅作两相反应的溶剂,而且也提供还原剂.反应过程中没有棕色的二氧化氮废气产生,酸耗量少,且无副产物如醚类生成.对反应中亚硝酸钠用量、硫酸浓度及用量、乙酸乙酯用量、反应温度等因素进行了研究.     

CLT酸工业现状

本文介绍了CLT酸的生产技术、国内生产与市场情况，并提出了其发展方向。     

1-对氯苯基环丁腈合成工艺条件研究

用DMSO和石油醚作为溶剂,以对氯苄腈和1,3-二溴丙烷为原料,分别研究了碱,反应时间和反应温度对目标产物合成收率的影响.探索出了较为优化的合成工艺条件,降低了工业生产成本.对目标化合物进行了元素分析和红外光谱表征.