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991.
胡志勇 《电子工业专用设备》2003,32(3):83-86
叙述了先进再流焊接技术的新发展,描述了提高BGA再流焊接效果的工艺要点,优化倒装芯片再流焊接和固化的新方法。最后,讲述了先进的降低氮消耗量的方法即:通过最大限度地提高潜在收益,以促进再流焊接技术的发展,以此来满足装配厂商的需要。 相似文献
992.
自动实时X射线检测技术在半导体制程控制中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
EckhardSperschneider 《电子工业专用设备》2003,32(5):27-31
对X光检测的不同技术在半导体制程上的应用作了详细的介绍;着重讨论了全旋倾斜(off-axis)X射线技术的特点和优势。 相似文献
993.
This paper derives the admissible decompositions for a time series dynamic linear model, assuming only that the model is observable. The decompositions depend on factorizations of the characteristic polynomial of the state evolution matrix G into relatively prime factors. This generalizes the method of West (1997 ) which considers one decomposition in the particular case where G is diagonalizable. Conditions are derived for a decomposition to be independent. These results show that no autoregressive process of order d has an independent decomposition for any integer d . Two illustrations of this procedure are discussed in detail. 相似文献
994.
Hot electrons emitted from thin oxide film-coated heavily doped silicon electrodes by cathodic pulse polarization can induce electrochemiluminescence from luminophores. The intensity of electrochemiluminescence produced at the electrode surface is dependent on the features of thin oxide films formed by thermal oxidation. As a preliminary study, we investigated the effect of thermal oxide growth conditions on the intensity of electrochemiluminescence produced at these electrodes, such as oxidation atmospheres, oxidation temperature, oxidation time and pre-treatment of wafers, using ruthenium(II) tris-(2,2′-bipyridine) chelate as a model luminophore. Optimal oxidation conditions of heavily doped silicon electrodes were obtained for the generation of intense electrochemiluminescence at this kind of silicon electrodes. 相似文献
995.
基于千兆以太网的非编网解决方案 总被引:4,自引:0,他引:4
由于在价格和兼容性上千兆以太网比FC网有明显的优势,随着计算机网络及终端技术的发展、采用千兆以太网架构非线性编辑网络正成为一种趋势。本文主要分析了采用NAS和IP SAN架构非编网络的解决方案。 相似文献
996.
ULSI中的铜互连线RC延迟 总被引:2,自引:0,他引:2
随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展,互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高,同时考虑到电迁移和功率损耗,人们开始寻找新的互连材料;低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能,主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。 相似文献
997.
屈服损伤对高压容器用Ni3V钢力学性能的影响 总被引:4,自引:1,他引:3
对高压容器用Ni3V钢进行了屈服极限Rp0 .2 损伤的单向拉伸试验 ,分析其在损伤后对常规力学性能的影响 相似文献
998.
999.
Solid solutions of the GdFeO3–GdInO3 system were prepared at 1550 °C by ceramic powder processing. The formulated composition was Gd(Fe1−xInx)O3 (GFI) with the indium contents at x = 0, 0.25, 0.5, 0.75, and 1.0. A stable phase of Gd(Fe1/3In2/3)O3 in our system was identified by X-ray diffraction and phase composition analysis. Multi-phase morphologies were observed for GFI bulks with x = 0.5 and 0.75. Dielectric and electrical properties of the GFI bulks were investigated. The addition of 25% In3+ in GdFeO3 had an obvious enhancement in polarization and led to an elevated resonance frequency. Dielectric properties of GFI bulks except GdInO3 were strongly dependent upon the test frequency, which corresponded to the response of polarization mechanism. GdInO3 displayed as a stable dielectric, which was frequency- and temperature-insensitive. GdInO3 was thermally activated and became leaky until above 600 °C. 相似文献
1000.
The forming behaviour at high temperature of a modified 9%Cr‐1%Mo (P91) ferritic steel containing B and Ti for elevated temperature service was investigated. The microstructure of the as‐received material is mainly martensite at room temperature, but special etching revealed prior austenite grains of about 25 μm in size. Torsion tests were conducted at temperatures in the range 850 to 1250 °C to simulate the hot rolling process under comparable conditions of temperature, strain rate and strain. The deformation data obtained from these tests were correlated with the Garofalo equation with a stress exponent of 4.6 and an activation energy of 315 kJ/mol. This equation was used to predict the formability behaviour for the rolling process and also to determine the maximum forming efficiency and stability of the steel. A temperature of 1200 °C is recommended to conduct the forming process. 相似文献