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1.
国产风机盘管空调系统常见问题分析 总被引:2,自引:1,他引:1
分析了国产风机盘管使用中常见的问题,指出机组因风量不足、冷量风量匹配不合理以及风机盘管某些设备故障,导致了风机盘管精度低、舒适性差、能耗高等一系列问题。指出应引起空调设计和运行维护人员的注意。 相似文献
2.
含缺陷压力管道经缺陷评定合乎使用后,其疲劳寿命的估计具有重要的工程意义。将整个含缺陷压力管道作为一个整体,分析了含缺陷压力管道的疲劳裂纹扩展特点,提出了相应的含缺陷压力管道疲劳寿命的计算过程,并在基于可靠性评价的基础上,给出了核压力管道的可接受失效概率,最终得到了含缺陷核压力管道疲劳寿命预测方法。 相似文献
3.
4.
丁晓东 《电子工业专用设备》2002,31(3):159-162,173
气压传动与控制已成为电子专用设备研制过程中一项不可缺少的内容 ,必须进行合理的气动系统设计及其控制 ,选择相应的气动元件以满足设备的功能要求。概述了气压传动与控制在电子专用设备上的应用。 相似文献
5.
测定钠中杂质的手动阻塞计的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
文章介绍了测定钠中杂质浓度的手动阻塞计的原理、装置和实验结果。为了减少测量误差,我们研究了影响准确测定阻塞温度的因素,并且找到了减少测量误差的办法。在同样的杂质饱和温度下,该阻塞计测得的高、低阻塞温度所对应的杂质浓度差是很接近的。对氧其差值为1.03ppm;对氢为0.0763ppm。 相似文献
6.
Ignatius Y. Chan 《Microscopy research and technique》1987,5(2):181-188
A new transmission electron microscopy (TEM) specimen preparation procedure for high temperature experiments using a controlled atmosphere specimen holder (HTCASH) has been developed. It is designed for studying the microstructure of catalyst specimens before and after treatments in various gases. The procedure involved (1) finding a new formula for the embedding material, (2) devising a new method of making specimen supports, and (3) developing a method for removing the embedding material after the specimen has been microtomed. These techniques were then brought together to produce the ideal specimens for the HTCASH experiments. As an extra benefit, this procedure is also suitable for preparing specimens for ultrahigh resolution imaging experiments. The application of the new procedure in HTCASH experiments is illustrated through a high temperature reduction of a Co/SiO2-923 catalyst. 相似文献
7.
济钢燃气厂针对济钢转炉煤气储存加压系统的设备现状,组织了一次设备大修,大修后煤气柜升降速度提高到了1.0m/min,并解决了加压机前负压等问题。 相似文献
8.
I.H. Song 《Thin solid films》2007,515(19):7598-7602
This paper is a report on the effect of a single perpendicular grain boundary on the hot-carrier and high current stability in high performance polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Under a hot carrier stress condition (Vg = Vth + 1 V, Vd = 12 V), the poly-Si TFT with a single grain boundary is superior to the poly-Si without any grain boundary because of the smaller free carriers available for electric conduction. The shift of transconductance in poly-Si TFT with a single grain boundary is less than 5% after hot carrier stress during a period of 1000 s. The shift of transconductance is about 25% in the case of the poly-Si TFTs without a grain boundary in the channel. On high current stress, the poly-Si TFT without the grain boundary is less degraded than the poly-Si TFT with the grain boundary because the concentrated electric field near the drain junction is lower. 相似文献
9.
G. N. Churilov R. B. Weisman N. V. Bulina N. G. Vnukova A. P. Puzir L. A. Solovyov S. M. Bachilo D. A. Tsyboulski G. A. Glushenko 《Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures》2003,11(4):371-382
The addition of metallic Ir and Pt to a fullerene-forming, atmospheric-pressure plasma reactor was found to influence the generation of carbonaceous products. It was observed that the added metals were efficiently dispersed into the plasma and that their presence increased the yield of fullerenes. The addition of Ir led to a noticeable shift in the fullerene distribution towards C60, whereas the addition of Pt increased the proportion of C60 oxides and decreased the proportion of higher fullerenes. Addition of Ir also caused a reduction of the soot particle size and the formation of a considerable quantity of carbon nanotubes. 相似文献
10.