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档案管理信息系统的开发与建设 总被引:1,自引:1,他引:1
在分析西北电网有限公司档案管理信息系统建设的历程和存在问题的基础上,介绍了公司新一代档案管理系统的结构模式、系统采用技术和功能特点,并提出未来的发展方向.详细阐述了系统B/S和C/S混合模式架构,8个功能模块及新特点.该系统实现了电子档案从产生、收集整理到查询借阅、保管利用的全程电子化管理,有效地提高了公司档案管理水平和办公自动化水平. 相似文献
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163.
164.
探讨MSM7512B遵从ITU-TV.23规范,以主叫和被叫方式与标准Modem(如Hayes的AT指令集兼容的Modem)建立连接的方法和实现过程。 相似文献
165.
Qiang Wang Lei Shen Tong Xue Gao Cheng Cheng Zhi Huang Hong Jin Fan Yuan Ping Feng 《Advanced functional materials》2021,31(2):2002187
The {100} facet of single-crystalline TiO2(B) is an ideal platform for inserting Li ions, but it is hard to be obtained due to its high surface energy. Here, the single-crystalline TiO2(B) nanobelts from H2Ti3O7 with nearly 70% {100} facets exposed are synthesized, which significantly enhances Li-storage capacity. The first-principle calculations demonstrate an ab in-plane 2D diffusion through the exposed {100} facets. As a consequence, the nanobelts can significantly accommodate Li ions in LiTiO2 formula with specific capacity up to 335 mAh g−1, which is in good agreement with the electrochemical characterizations. Coating with conductive and protective poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate), the cut-off discharge voltage is as low as 0.5 V, leading to a capacity of 160.7 mAh g−1 after 1500 cycles with a retention rate of 66% at 1C. This work provides a practical strategy to increase the Li-ion capacity and cycle stability by tailoring the crystal orientation and nanostructures. 相似文献
166.
针对传统的温度检测系统对于通信基站测温点少、检测实时性和准确性较低的问题。设计了一种基于DS18B20温度传感器关联性模型的温度检测系统,通过建立不同位置测温值的关联模型,实现对温度异变信号的声光报警和自动处理等功能。该系统以DS18B20温度传感器为核心,设计了温度检测电路、数据关联电路、声光报警电路、继电器控制散热电路等模块。运行证明:本系统相对于传统的温度检测方法,系统的精确性和实时性都有明显改善,为通信基站的安全运行提供了可靠保障。 相似文献
167.
介绍了基于二次 B- B插值曲面绘制等值线图的方法。实践表明 ,用这种方法绘制的等值线效果很好 ,它能有效地分析和解决工程问题 相似文献
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169.
170.
Y. Nakamura Ichiro Tanaka N. Takeuchi S. Koshiba H. Sakaki 《Journal of Electronic Materials》1998,27(11):1240-1243
We studied morphology of GaAs surfaces and the transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) on vicinal (111)B
planes. Multi-atomic steps (MASs) are found on the vicinal (111)B facet grown by molecular beam epitaxy, which will affect
electron transport on the facet. We also studied how the morphology of GaAs epilayers on vicinal (111)B substrates depends
on growth conditions, especially on the As4 flux. The uniformity of MASs on the substrates have been improved and smooth surfaces were obtained when the GaAs was grown
with high As4 flux, providing step periodicity of 20 nm. The channel resistance of the 2DEG perpendicular to the MASs is reduced drastically
with this smooth morphology. These findings are valuable not only for fabricating quantum devices on the (111)B facets but
also those on the vicinal (111)B substrates. 相似文献