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11.
湿法磷酸脱硫(SO4^2—)净化研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
针对云南湿法磷酸进行了脱除硫酸根的实验研究,考察了沉淀剂用量,反应时间及温度等因素对硫酸根去除率的影响  相似文献   
12.
本文介绍了铜锍吹炼主要工艺方案 ,重点分析并对比了PS转炉、闪速吹炼炉工艺技术的先进性、可靠性、环境保护、操作实践以及运行情况 ,得出了基本结论 ,为金隆扩建改造工程吹炼工艺方案的选择提供了依据。  相似文献   
13.
将玉米发酵液作为微生物硫酸盐还原体系的碳源,可大幅降低还原成本,对实现硫酸盐废水经济、高效处理具有重要意义。探究了复合碳源比例、碳硫比(C/S)和pH等对硫酸盐还原菌(SRB)还原硫酸盐的影响。结果表明:在初始SO42-浓度为(1 000±50)mg/L时,5种复合碳源比例均能获得较好的硫酸盐还原效果,剩余SO42-浓度均小于地下水质量标准Ⅳ类水质350 mg/L要求;当初始C/S=0~3.5时,随C/S比升高,SRB的硫酸盐还原速率增加,但碳源的硫酸盐还原利用效率下降;在初始pH接近7.0时SRB硫酸盐还原活性最佳。反应体系pH和ORP值的变化可准确指示细菌活性变化。  相似文献   
14.
研发了一种从钴渣中提取硫酸钴的新工艺,即钴渣活化焙烧-硫酸浸出-溶剂萃取工艺.在活化焙烧温度900 ℃,活化剂添加量2∶1(添加剂与钴渣的质量比),焙烧时间1 h;硫酸浸出液固体积质量比5∶1,硫酸浓度20%,浸出温度90 ℃,浸出时间1.5 h条件下,钴浸出率为98.8%.然后采用P204萃取除杂-P507萃取分离钴、镍工艺得到纯净的高浓度钴溶液,蒸发结晶后得到质量符合HG3-914-78化学纯度要求的硫酸钴.  相似文献   
15.
粗铜冶炼电收尘烟灰的湿法处理   总被引:7,自引:0,他引:7  
粗铜冶炼电收尘烟灰按原理设计经过配料、湿捏,返回炼铜炉熔炼,不仅不经济,也给炼铜生产带来危害。本文寻求水浸处理该烟灰的湿法封闭流程,既可合理回收烟灰中有价金属,做到无废水排放,又能在低投资下获得明显经济效益。  相似文献   
16.
铜离子对硫酸锌溶液中钴返溶的影响及机理   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文研究了对湿法炼锌过程中钴的返溶的影响因素,对反应时间,氧化,锌粉粒度,Cu2 等因素进行了系统的研究.当锌粉量一定时,小颗粒锌粉有较高的初始置换速率,但是也更容易返溶.大颗粒锌粉置换速率慢,但是几乎不返溶.添加了铜离子,返溶明显,而没有添加铜离子的溶液,虽然除钴效果稍差,但是不会返溶或者返溶不明显.然而铜离子的存在对钴的返溶究竟起着何种作用还有待于进一步研究.在锌粉置换过程中,钴返溶的正确的反应为:Zn Co2 →Zn2 Co(s),Co(s) 2OH-→Co(OH)2 2e.  相似文献   
17.
高砷次氧化锌综合回收试验研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
介绍了硫酸焙烧法处理高砷次氧化锌的试验研究,主要探讨了焙烧的温度,时间及硫酸用量对有害元素砷,氟、氯等脱除率的影响,工业试验证明,铅,锌,锗的直收率分别为99%,98%,60%以上,砷的脱除大于90%,氟、氯的挥发率大于95%。  相似文献   
18.
In a previous study, we found that administration of ILB®, a new low molecular weight dextran sulphate, significantly improved mitochondrial functions and energy metabolism, as well as decreased oxidative/nitrosative stress, of brain tissue of rats exposed to severe traumatic brain injury (sTBI), induced by the closed-head weight-drop model of diffused TBI. Using aliquots of deproteinized brain tissue of the same animals of this former study, we here determined the concentrations of 24 amino acids of control rats, untreated sTBI rats (sacrificed at 2 and 7 days post-injury) and sTBI rats receiving a subcutaneous ILB® administration (at the dose levels of 1, 5 and 15 mg/kg b.w.) 30 min post-impact (sacrificed at 2 and 7 days post-injury). Additionally, in a different set of experiments, new groups of control rats, untreated sTBI rats and ILB®-treated rats (administered 30 min after sTBI at the dose levels of 1 or 5 mg/kg b.w.) were studied for their neurocognitive functions (anxiety, locomotor capacities, short- and long-term memory) at 7 days after the induction of sTBI. Compared to untreated sTBI animals, ILB® significantly decreased whole brain glutamate (normalizing the glutamate/glutamine ratio), glycine, serine and γ-aminobutyric acid. Furthermore, ILB® administration restored arginine metabolism (preventing nitrosative stress), levels of amino acids involved in methylation reactions (methionine, L-cystathionine, S-adenosylhomocysteine), and N-acetylaspartate homeostasis. The macroscopic evidences of the beneficial effects on brain metabolism induced by ILB® were the relevant improvement in neurocognitive functions of the group of animals treated with ILB® 5 mg/kg b.w., compared to the marked cognitive decline measured in untreated sTBI animals. These results demonstrate that ILB® administration 30 min after sTBI prevents glutamate excitotoxicity and normalizes levels of amino acids involved in crucial brain metabolic functions. The ameliorations of amino acid metabolism, mitochondrial functions and energy metabolism in ILB®-treated rats exposed to sTBI produced significant improvement in neurocognitive functions, reinforcing the concept that ILB® is a new effective therapeutic tool for the treatment of sTBI, worth being tested in the clinical setting.  相似文献   
19.
采用平面波展开法数值计算了对二维光子晶体在TE和TM偏振态下的带隙进行了计算,给出了光子晶体中的禁带存在的理论依据,选择二维三角晶格光子晶体(GaAs)作为基底,在空气孔内填充浓度(质量百分浓度)为一定的待测溶液硫酸铜材料,通过计算得到了温度为298K情况下介电常数在71.917-62.530变化时,待测浓度的对应关系,并由此得到液体填充的光子晶体在不同偏振模式下光子禁带结构.结果表明,以硫酸铜的水溶液作为空气圆孔中的介质材料,当溶液质量百分浓度不同时光子带隙(PBG)发生变化。这对溶液浓度检测应用方面有一定的指导作用。  相似文献   
20.
BaTiO3烧结陶瓷的微结构及介电性能研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
以超重力反应沉淀法制得的纳米BaTiO3为初始粉体,在不同温度烧结得到BaTiO3陶瓷。分别用SEM和阻抗分析仪测试陶瓷微结构和介电性能。结果表明:陶瓷微结构尤其晶粒尺寸对陶瓷介电性能影响极大;烧结温度低于1250℃时得到细晶粒陶瓷(d=300~400nm),表现出明显的低介电常数和相变弥散的特征;烧结温度达1250℃时得到陶瓷超出细晶粒陶瓷范围,烧结温度为1300℃时,得到陶瓷晶粒尺寸为3~4μm,室温介电性能优于粗晶粒陶瓷。  相似文献   
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