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61.
In this research, maleic anhydride-α-octadecene copolymer and its derivative with phenylethylamine was synthesized and its effect on the crystallization of paraffins was investigated. This derivative, when added into second cut of vacuum gas oil and forth cut of vacuum gas oil, increases the size and improves aggregation of paraffin crystals observed by polarizing light microscopy, increases onset temperature and enthalpy of paraffin crystallization determined by differential scanning calorimetry, improves the dewaxing efficiency with dosage of 100?ppm explored by MEK-toluene dewaxing. 相似文献
62.
采用淀粉及聚合物-PDDA(聚二甲基二烯丙基氯化铵)分别作为有机添加剂,通过原位晶化方法制备NaY/高岭土复合物及催化裂化催化剂,并采用XRD、N2吸附及ACE装置进行表征和评价。结果表明:引入淀粉或者聚合物-PDDA后,NaY/高岭土复合物结晶度从18%增加到24%,引入淀粉后,复合物介孔孔体积从0.180 cm3/g提升到0.355 cm3/g,而引入PDDA,复合物介孔孔体积进一步增加到0.431 cm3/g;与空白试验相比,引入淀粉和PDDA所制备催化剂,油浆产率分别降低1.98百分点和2.43百分点,总液体收率增加2.55百分点和3.07百分点。 相似文献
63.
根据制备过程,提出了配合物Cu(TO)2Cl2在混合溶液中的晶体生长的动力学模型。通过这个动力学模型,测定了一系列的动力学参数Ea=45.37kJ·mol-1,ln(A/s-1)=14.65,Δ≠Gm=82.11kJ·mol-1,Δ≠Hm=42.85kJ·mol-1,Δ≠Sm=131.58J·mol-1·K-1。另外,用RD496-Ⅲ型微量热计测定了该化合物在298.15K时的比热容,并计算了[Cu(TO)2]2 (aq)和Cu(TO)2Cl2(s)的标准生成焓。 相似文献
64.
配合料Li2O-ZnO-Al2O3-Si02于铂金坩埚中在1 600℃熔融2h,经2步热处理工艺控制成核及晶体生长,制备出透明玻璃陶瓷。采用差热分析( DTA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜( SEM)、傅里叶红外光谱FT-IR和UV-Vis-NIR分光光度计对材料进行表征。热处理温度在970℃以下的玻璃陶瓷只有一种立方结构的锌尖晶石ZnAl204晶相存在。热处理温度为970℃时,开始析出四面体β一石英晶相;1100℃时,四面体β一石英成为主晶相,锌尖晶石变成次晶相。晶粒尺寸符合正态分布,标准偏差随热处理温度增加而增加。根据XRD结果计算出立方锌尖晶石晶体的晶格参数为a= 0.809 3 nm(±0.000 7),与标样十分接近。 相似文献
65.
采用差示扫描量热仪(DSC)研究了3,4-二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF)在HMX中的非等温结晶行为,介绍了几种结晶动力学的数学模型,并用于DNTF结晶动力学的数据处理,对获得的结果进行了比较。结果表明,HMX能降低DNTF的过冷度,有效消除自加热。利用Avrami方程得到了DNTF的结晶动力学指数n,从而确定了结晶过程的机理函数g(α)。用Kissinger方程获得了结晶的动力学参数活化能。同时,还用Avrami-Ozawa方程获得了该结晶过程的Ozawa指数m以及反映结晶速率快慢的温度函数F(T),数据表明Avrami-Ozawa方程能够较好描述DNTF的非等温结晶过程。 相似文献
66.
67.
将真空氧化结晶工艺应用于直接硝解法制备RDX,有效解决了直接硝解法产生大量废酸的问题。用单因素法实验研究了最佳工艺条件。结果表明,最佳工艺条件为:以投入1 g乌洛托品计,氧化工序中,加入稀释水量3.51 g,最低激发温度49.4℃,加热温度60℃,稀释水量的加入速率0.12 g·s-1;真空结晶工序中,真空度为82 k Pa,初始蒸发温度85.0℃,搅拌速率650 r·min-1,产生废酸10.34 g。与传统氧化结晶工艺相比,该工艺稀释水量和废酸量分别减少24.9%和10.2%。 相似文献
68.
69.
对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础. 相似文献
70.