基于六边形AMC结构的60 GHz片上天线的设计

介绍一种基于六边形人工磁导体结构采用标准CMOS工艺的60 GHz片上天线的设计。标准CMOS工艺以金属硅为衬底,但衬底硅的低电阻率(10Ω·cm)和低的电子迁移率特性对天线辐射有较大影响。AMC结构通过合理的设计具有类似于理想磁壁的同相位反射特性。通过在天线与硅衬底之间周期加载AMC结构,可以有效地提高天线的增益、辐射效率等。重点讨论了采用人工磁导体结构的天线优化设计,并基于三维电磁仿真软件Ansoft HFSS仿真比较了不同排列的人工磁导体结构对天线性能的影响。     

Difference in electron- and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors

Changes of the average brightness and non-uniformity of dark output images, and quality of pictures captured under natural lighting for the color CMOS digital image sensors irradiated at different electron doses have been studied in comparison to those from the γ-irradiated sensors. For the electron-irradiated sensors, the non-uniformity increases obviously and a small bright region on the dark image appears at the dose of 0.4 kGy. The average brightness increases at 0.4 kGy, increases sharply at 0.5 kGy. The picture is very blurry only at 0.6 kGy, showing the sensor undergoes severe performance degradation. Electron radiation damage is much more severe than γ radiation damage for the CMOS image sensors. A possible explanation is presented in this paper,     

一种三级CMOS运算放大器

运算放大器（OPERATIONAL AMPLIFIER）是模拟电路中最重要和最通用的单元电路之一。基于0.5 umCMOS混合工艺设计了一种三级CMOS运算放大器,它具有放大倍率高,静态功耗低,适合大规模集成等特点。     

Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology

It is predicted that CMOS technology will probably enter into 22 nm node around 2012. Scaling of CMOS logic technology from 32 to 22 nm node meets more critical issues and needs some significant changes of the technology, as well as integration of the advanced processes. This paper will review the key processing technologies which can be potentially integrated into 22 nm and beyond technology nodes, including double patterning technology with high NA water immersion lithography and EUV lithography, new devi...     

CMOS图像传感器中的串扰与常用解决方案

CMOS图像传感器中,串扰的大小会影响到图像传感器最终输出图像的质量,串扰越大,最终的图像质量越差,并随着目前像素单元尺寸的逐渐减小,光串扰和电荷串扰都会越来越严重。针对CMOS图像传感器中存在的这2种形式的串扰,结合具体的应用环境,出现了各种各样的解决方案。这些方案多从器件结构改进和材料等方面着手,采取有效措施,将CMOS图像传感器在具体场合应用时的串扰降低到了一个合理的水平。     

聚酰亚胺电容式湿度传感器的制备工艺研究

改变传统丝网印刷制作电极的方法,采用正胶反刻、干湿结合的CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺为感湿介质的相对电容式湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间进行了测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见。     

数值协处理器微码电路的分析与检测

主要讨论用于完成数值协处理器各种运算的微码电路。简单介绍微码电路在协处理器中的重要性,具体介绍微程序控制模块的工作原理,微码电路的微码地址产生、微程序和微子程序的调用、四阈值微码的译码及微码电路的检测电路。     

生物／化学微传感器技术和应用（二）

本文综述了生物／化学微传感器的技术和应用,详细描述了起源于半导体技术的标准工艺流程和制造三维机械结构的特殊微细机加工工艺,给出了基本化学传感器原理和对应的化学／生物传感器应用实例,最后提出了单片集成化学／生物微传感器系统,包括单一芯片上传感器结构和运转电路。     

基于时间域读出的大动态范围CMOS图像传感器

设计了一款基于时间域读出的大动态范围CMOS图像传感器。传感器基于一种新型的结构,其可在时间域下探测高输入光强,在模拟域下探测低输入光强。该设计在传统电容反馈式跨阻放大器(CTIA)的基础上,新增了时间域测量电路,在不改变原有积分过程的同时可实现连续的大动态范围。基于0.35μm,5V-CMOS工艺进行了256×1线列CMOS图像传感器流片,光电二极管面积为22.5μm×22.5μm,并对器件的光电特性进行了后仿真验证。仿真测试结果表明,基于时间域读出的图像传感器可实现96dB的大动态范围,且时间域和模拟域的两路输出信号可同步输出,功耗为7.98mW。     

基于标准CMOS工艺的片上太阳敏感器研究

微纳卫星对于载荷的苛刻要求使得太阳敏感器的微型化研究具有重要意义。为了解决光学器件和处理电路的集成兼容问题,文章基于标准CMOS工艺提出一种新型片上太阳敏感器,以金属走线层构建微型墙结构,两侧均匀分布pn结构成光电传感器,通过检测两侧光电流比例解算出入射光角度。文章从工艺实现、模型建立、数值仿真和实验测试等方面验证了器件的合理性和可行性。最终,片上太阳敏感器阵列芯片质量为1.5g,尺寸为304.2mm³,检测精度为±1.6°,视场范围为80°,可满足微型化需求。