扫描隧道显微镜中的扫描驱动器

概述了扫描隧道显微镜的工作原理,给出了采用压电材料的扫描控制方案及获取样品表面形貌信号的方法,介绍了系统中的ｚ扫描驱动器,ｘｙ扫描驱动器（扫描平台）及其非线性修正方法。     

半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷

讨论了半导体材料中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 诱生缺陷的三种原因,即快中子辐射损伤、原子蜕变β辐射及γ辐射反冲造成的位移损伤。简述了由它们引起的缺陷的特性、常用的鉴别手段及相应的退火方法     

中间段光折变晶体材料参数的测量原理

提出了中间段光折变晶体材料参数的测量原理。利用公开报道的关于Ce:KNSBN双光束耦合的实验数据计算了该晶体的材料参数。实验与理论结果相吻合。     

单光束激光散斑干涉法测量金属材料焊接部的热应变

本文对钛合金钢板的焊接部位进行了单光束激光散斑照相,得到了一系列由某一高温降至室温时的双曝光位移散斑图。然后用逐点分析法测出焊接部位在各温度区间的热位移,由此得到的实验结果与现有数据相匹配,即焊接部位热应变随温度升高越来越大。     

一种用于液晶分子取向排列的紫外光聚合物PV4研究

研究了紫外光聚合物材料ＰＶ４的化学性质;采用偏光显微照相技术,研究厂这种材料膜对液晶ＬＣ－６７１０Ａ的取向能力;用原子力显微镜（ＡＦＭ）,研究了光聚合前后聚合物取向膜微观形貌的变化;测最了这种材料引起的液晶预倾角、单面光控取向层扭曲向列液晶显示器件（ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性;分析了液晶分子取向排列的机理。     

立足基础面向学科构建电路理论课程的立体化教学体系

本文详细介绍了教育部2002年启动教学质量工程以来,我校电路理论课程的教学改革建设的成效,包括电路理论课程的立体化教学体系的建立、相关课程的立体化教材的建设、实验实践教学的强化、教学方法的改进和具体的实践效果。     

基于压电力显微镜的铌酸锂电畴稳定性研究

研究了Z切700 nm厚的单晶铌酸锂(LiNbO₃)薄膜电畴的调控方法。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对单晶LiNbO₃薄膜的晶向和形貌进行了表征,并通过外加电场对单晶LiNbO₃薄膜电畴进行调控。研究结果表明,该LiNbO₃薄膜具有单一的(006)衍射峰,表面光滑、粗糙度低(均方根粗糙度小于1 nm)。通过外加电场和预设电畴图案对LiNbO₃电畴进行精准调控,并测试了电畴稳定性。测试结果显示,调控后的电畴在温度为25~150℃内处于稳定状态,且在30 d内保持稳定,未发生弛豫现象。该研究为LiNbO₃电畴工程器件的研发和应用提供了重要的技术支撑。     

激光加工碳纤维增强复合材料研究进展

碳纤维增强复合材料(CFRP)因其优异的性能,在航空航天、国防等领域有着广阔的应用前景。为了掌握激光加工CFRP的去除机理,研发出高效率、低损伤加工该材料的方法,归纳整理了激光加工CFRP去除机理的研究成果,并从激光特性、工艺参量、气液辅助、材料特性4个方面出发,介绍了国内外激光加工CFRP的研究进展,总结了影响激光加工CFRP质量的因素,并给出了提高加工质量方法的建议,最后对激光加工CFRP的发展趋势进行了展望。     

低插损窄带型10.7MHz压电陶瓷滤波器的研制

介绍了低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的一种设计制作方法。结合压电陶瓷能陷模理论,通过对滤波器分割电极设计和制造工艺控制技术的研究,强调了工艺控制的重要性。产品达到日本村田同类产品水平,对国产化窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的研发和生产具有十分重要的意义。认为选用高Qm值压电陶瓷材料、分割电极和耦合电容的设计、焊接和点蜡工艺的控制等是研制低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的重点。     

CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。