一种新型的左右手传输线超宽带滤波器

超宽带系统需要超宽带滤波器的相对带宽达到110%,并且使用常见的材料设计它,使其结构紧凑、价格便宜。该文将介绍用左右手传输线结构设计的新型超宽带滤波器。另外,利用微带线和共面波导相结合的方式来简化设计、缩小尺寸。其仿真结果证明了利用复合材料可产生负介电常数和负磁导率,滤波器在通带3.8到10.6GHz内的插入损耗小于1.0db。并且其中心频带附近的群时延约为0.20ns,这个群时延足够小,以至于它可以应用到无线通信系统中。     

一种新型介质加载的矩形喇叭天线

传统的卫星地面通信系统多采用抛物面天线,但抛物面天线却存在体积大、灵活性差等缺点,而喇叭天线则可以较明显地克服上述不足,但其增益较小、损耗较大。文中设计了一种新型介质加载的矩形喇叭天线,该天线有两层结构:上层为辐射结构,下层为微带-槽耦合馈电结构。辐射结构是中心为矩形喇叭孔的长方体铜板。这种结构的喇叭天线体积适中、活动方便,而且天线增益、反射系数和半功率波瓣宽度相比于传统形式的喇叭天线都有明显改善。     

Ta2O5-TiO2调制结构和介电性能相关性

本文略述了近来用高分辨电子显微术及其模拟技术,解析Ta2O5和(Ta2O5)1-x(TiO2)x的晶体结构的进展,并揭示了(Ta2O5)1-x(TiO2)x固溶体中由于Ti离子有序占据八面体位置所形成的调制结构和介电性能之间的关联.     

45nm工艺与关键技术

介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。     

H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷的烧结及介电性能

采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对Ba5Nb4O15陶瓷的相成分、微观结构、烧结以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷中,除主晶相Ba5Nb4O15相外,还生成了BaNb2O6和BaB2O4相;H3BO3能够将Ba5Nb4O15陶瓷的烧结温度降低500℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数1%时,900℃烧结的Ba5Nb4O15陶瓷具有良好的微波介电性能:εr=38.8,Q×f=48 446 GHz,τf=37.0×10–6/℃。     

用于超宽带介电常数测量的Vivaldi天线设计与仿真

在传统Vivaldi天线结构的基础上,设计了两种适用于混合材料介电常数测量的改进型渐变槽Vivaldi天线以及同轴馈电型对踵Vivaldi天线,并利用三维电磁仿真软件HFSS对这几种Vivaldi天线的性能进行优化分析。通过对不同结构Vivaldi天线的对比,分析结果可以看出这两种改进型渐变槽Vivaldi天线和同轴馈电型对踵Vivaldi天线在频段、带宽、驻波比等方面均达到超宽带介电常数测量系统的设计要求,可应用于测量混合材料的介电常数。     

预烧工艺对MgTiO3系MLCC瓷料性能的影响

以Mg(OH)2,TiO2,CaCO3和ZnO为主要原材料,采用不同预烧工艺合成了MgTiO3主晶相材料。研究发现,快速升温到高温区(1150℃),然后降低温度至1000℃并保温4h所得的MgTiO3主晶相材料,为结构均匀、近似球形的颗粒,用其制备的MLCC瓷料,比表面积为5.5～6.5m2/g,分散性好。这种瓷料适合制造薄介质膜,制得的MLCC具有优良的介电性能,其绝缘强度E大于1.243V/m,tanδ小于1.3×10–4,εr为15.0～15.5。     

S波段低相噪同轴介质压控振荡器设计

运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡器,最终设计完成了一个S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。通过对实物成品的测量和调试表明,此压控振荡器达到了预定的技术指标,各项性能良好。测试结果:工作频率为2.075~2.250 GHz,调谐范围为1.75 GHz,输出功率≥11 dBm,谐波抑制度≥23 dBc,相位噪声优于-133 dBc/Hz@100kHz。     

Titanium-aluminum oxynitride (TAON) as high-k gate dielectric for sub-32 nm CMOS technology

High-k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology), such as titanium-aluminum oxynitride (TAON) and titanium-aluminum oxide (TAO), have been obtained by Ti/Al e-beam evaporation, with additional electron cyclotron resonance (ECR) plasma oxynitridation and oxidation on Si substrates, respectively. Physical thickness values between 5.7 and 6.3 nm were determined by ellipsometry. These films were used as gate insulators in MOS capacitors fabricated with Al electrodes, and they were used to obtain capacitance-voltage (C-V) measurements. A relative dielectric constant of 3.9 was adopted to extract the equivalent oxide thickness (EOT) of films from C-V curves under strong accumulation condition, resulting in values between 1.5 and 1.1 nm, and effective charge densities of about 10¹¹ cm⁻². Because of these results, nMOSFETs with Al gate electrode and TAON gate dielectric were fabricated and characterized by current-voltage (I-V) curves. From these nMOSFETs electrical characteristics, a sub-threshold slope of 80 mV/dec and an EOT of 0.87 nm were obtained. These results indicate that the obtained TAON film is a suitable gate insulator for the next generation (MOS) devices.     

一种通用的并联反馈式微波介质振荡器设计方法

介绍了并联反馈式介质振荡器的设计方法和相关理论,分析了影响介质振荡器性能的一些参数。采用高频路仿真和场仿真软件对13.20 GHz的介质振荡器进行设计,仿真结果表明,在偏离载频10 kHz处输出信号相噪为-113.6 dBc/Hz,功率为 10.026 dBm。