LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

不易受反射影响的掺铒光纤放大器

从实验上和理论上考查了在掺印光纤内隔离器的插入对光纤放大器对外部反射的灵敏度的影响，考查了处于不同饱和范围的掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）的情况，而且把具有隔离器的光纤放大器结构与不上有隔离器的传统结构进行了比较。发现最显著的改善是在小信号范围内，对反射的要求可放宽１３ｄＢ。这一优点，连同增益和噪声指数的提高，使具有这种隔离器的光纤放大器结构对于用作前置放大器来说格外引人注目。     

Ti-2.5Cu在293和77K下的力学性能和变形机制

Ti-2.5Cu合金经过固溶-时效处理后,纳米级Ti2Cu颗粒呈均匀分布,合金具有良好的综合力学性能.温度从293 K降到77 K时,合金的强度和塑性随着温度的降低而增加,77 K下低周疲劳寿命比293 K下的高.微观组织的分析表明,Ti2Cu颗粒对位错运动有阻碍作用,而对孪生切变影响较小.在293和77 K下循环变形后观察到孪晶,低温下孪晶数量增多并相互交叉.表明孪生和滑移在293和77 K下的循环变形中同时起作用.Ti-2.5Cu合金在77 K下较高的塑性和低周疲劳寿命可以用孪生诱发塑性予以解释.     

Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究

采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。     

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析，结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变，600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的，而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致，为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。     

掺杂Yb的TiO2光催化剂的制备和性能

采用溶胶-凝胶法制备了Yb掺杂TiO2纳米光催化剂,并通过XRD和BET等手段进行了表征.以对苯二甲酸作为探针分子,结合化学荧光技术研究了光催化剂表面羟基自由基的生成;并以苯酚为光催化降解反应模型化合物,考察了光催化剂的活性.测定了苯酚在TiO2和Yb掺杂TiO2光催化剂上的吸附常数.结果表明：Yb掺杂使TiO2的粒径减小,比表面积增大,同时导致羟基自由基的生成速率增大.Yb掺杂有利于反应底物在催化剂表面的吸附,Yb的最佳掺入量为Yb/Ti摩尔比=0.8%.     

最快晶体管的频率接近太赫兹

Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个     

Study on Luminescence Properties of High-Density Phosphors BiTaO4：Pr^3＋ and BiTaO4

The photoluminescence properties of BiTaO4:Pr^3 and BiTaO4 at room temperature were studied, and the infrared transmission and diffusion reflection spectra of BiTaO4 were measured. The photoluminescence spectrum of BiTaO4 peaks at about 420, 440 and 465nm. There has an obvious excitation band from 330 to 370nm. The photoluminescence spectrum of BiTaO4:Pr^3 consists of the characteristic emission of Pr^3 , and its main peak is at 606 nm from ^3P0→^3H6 transition of Pr^3 . Its excitation spectrum consists of the wide band with maximum at 325nm, the wide band in the range of 375-430nm, and the characteristic excitation of Pr^3 .The bands at 325nm and 375-430nm may be from the absorption of the charge transfer transition of the tantalate group and defect energy levels in its forbidden band, respectively.There is energy transfer from host to Pr^3 . Because both the host density and photoluminescence peak intensity of BiTaO4:Pr^3 are superior to PbWO4, BiTaO4:Pr^3 may be a potential heavy scintillator.     

电子材料

提升OLED发光效率磁性掺杂技术显神威；康宁扩充在华光纤生产厂；国产新型12英寸无位错硅单晶生长设备研制成功；中科院物理所合作建立国内首条碳化硅晶片中试生产线；NEC小型薄型高频砷化镓开关IC用于高速无线通信……