ZnO陶瓷材料的负阻特性

介绍了ＺｎＯ陶瓷的负阻特性，主要研究了ＭｎＯ２掺杂和Ｎｉ２Ｏ３掺杂对ＺｎＯ陶瓷负阻特性的影响。     

一种新的触头材料—Cu—Mo系合金

本文介绍了近年来国外研制Ｃｕ－Ｎｏ系触头材料的情况。详细地介绍了该种材料的制造方法和电性能。     

高断裂韧性Mg—Zn—Mg—Cu合金的制备

美国专利US2005 236075介绍了一种具有高断裂韧性的挤压态Mg—Zn—Mg—Cu合金的制备工艺。这种合金的成分（质量分数）Cu1．95％-2.3％、Mg1．9％-2．3％、Zn8．45％-9．4％、Zr0．05％-0．25％、Si≤0．15％、Fe≤0．15％、Mn≤0．1％．合金中还可以添加Cr0．05％-0．2％、Sc0．01％～0．1％、Ti0．01％～0．2％。     

Mg基贮氢合金性能的改进

Ag掺杂的机械合金化Mg2Ni粉末吸氢性能的改进 贮氢合金可划分为AB型、AB2、A2B和AB5型四大类，在为数众多的合金之中以A2B型Mg2Ni金属间化物具有最高的吸氢能力（吸氢容量高达3．6％（质量）），作为贮氢材料是很有发展前途的。但是它的低吸氢／脱氢速度而限制了它的实际应用。机械合金化能够成功地制备金属氢化物，对原料进行机械研磨不仅能使其粒度减小并且能引入缺陷浓度和增加新鲜表面，从而改进吸氢性能。在机械合金化过程中添加Al、Ti、Zr等元素产生晶格应变也可改进合金的贮氢性能。     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

0.1微米以下晶体管对传统概念的挑战

晶体管在集成电路中占据着中心的位置,在“开”、“闭”两种状态下都要消耗能量:开路时,电流从源极流向漏极;闭路时,栅极和沟道之间存在的电荷泄漏同样也会形成电流。对较大尺寸(1微米)的晶体管来说,这种静态电流只占到整体能耗的0.01％,而在0.1微米以下的晶体管中,这种电流造成的能耗已占全部能耗的10％。对便携设备来讲,不但要有更小的设计尺度,消费者还要求电池能用更长的时间。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。     

聚苯胺电化学性能的改性研究

改善聚苯胺的电化学性能是聚苯胺研究中的一个重点，介绍了对聚苯胺的取代，共聚，复合和掺杂等几种改性方法，及其对聚苯胺电化学性能和其他性能的影响。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果作一概述性介绍，综述了纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理，主要的掺杂技术、方法，并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

Lattice Effects and Irreversible Magnetoresistance in Gd Doped La—Ca—Mn—O

The Gd substituting effects for La in La0.67Ca0.33MnO3 has been studied .With increasing the substituting amount of Gd,the phase transition temperature of metal-isolator for the samples decreases,the corresponding peak resistivity increases,the Curie temperature decreases monotonically.The substitution of La-Ca-Mn-O with 11% Gd for La improved the magnetoresistance ratio by an order of magnitude.The effects of substituting Gd can be explained in terms of the lattice effects.An irreversible MR behaviour was observed in Gd-substituting compounds.This effect became marked when the substituting amount of Gd was greater than 7%.A maximum irreversible increment of MR ratio as large as 91% was obtained when Gd substituting amount was 11%.