全文获取类型
收费全文 | 15235篇 |
免费 | 931篇 |
国内免费 | 1682篇 |
专业分类
电工技术 | 610篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 1225篇 |
化学工业 | 3592篇 |
金属工艺 | 2649篇 |
机械仪表 | 263篇 |
建筑科学 | 135篇 |
矿业工程 | 296篇 |
能源动力 | 134篇 |
轻工业 | 319篇 |
水利工程 | 22篇 |
石油天然气 | 229篇 |
武器工业 | 109篇 |
无线电 | 2710篇 |
一般工业技术 | 3914篇 |
冶金工业 | 1260篇 |
原子能技术 | 194篇 |
自动化技术 | 186篇 |
出版年
2024年 | 161篇 |
2023年 | 588篇 |
2022年 | 685篇 |
2021年 | 660篇 |
2020年 | 450篇 |
2019年 | 584篇 |
2018年 | 341篇 |
2017年 | 424篇 |
2016年 | 451篇 |
2015年 | 605篇 |
2014年 | 940篇 |
2013年 | 764篇 |
2012年 | 955篇 |
2011年 | 1050篇 |
2010年 | 888篇 |
2009年 | 878篇 |
2008年 | 1063篇 |
2007年 | 1012篇 |
2006年 | 771篇 |
2005年 | 690篇 |
2004年 | 620篇 |
2003年 | 472篇 |
2002年 | 474篇 |
2001年 | 327篇 |
2000年 | 294篇 |
1999年 | 197篇 |
1998年 | 181篇 |
1997年 | 141篇 |
1996年 | 202篇 |
1995年 | 189篇 |
1994年 | 167篇 |
1993年 | 85篇 |
1992年 | 121篇 |
1991年 | 125篇 |
1990年 | 123篇 |
1989年 | 126篇 |
1988年 | 12篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 2篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 109 毫秒
51.
52.
采用溶胶-凝胶法制备具有介孔结构的降硫基质材料,选择具有降硫选择性的活性元素对合成的基质材料进行改性处理,考察不同的改性方法对制得的催化裂化原位降硫助剂性能的影响,并对基质材料和降硫助剂的结构进行表征。采用美国进口的ACE-R小型催化裂化评价装置将降硫助剂与催化裂化催化剂匹配进行性能评价,在不改变原催化裂化产品分布和产品性质的同时,降低原料的总硫含量,总硫降低可达40%以上。 相似文献
53.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
54.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献
55.
56.
Al-Cu双金属复合结构的扩散连接试验研究 总被引:16,自引:0,他引:16
应用扩散连方法进行了Al-Cu双金属复合结构的试验研究,比较了不同的焊接工艺,材料组合以及母材状态情况Al合金与Cu的连接性,观察了接头区域的微观组织结构,研究表明,固相扩散连接是一种适用于异种材料连接的有效方法,通过在连接区域形成Al-Cu金属间化合物,达到Al和Cu的有效连接,材料组合,母材原始状态以及连接工艺参数对Al合金与Cu的扩散连接存在着明显的影响。表面镀Ni工艺不但能够有效阻止Al和Cu之间形成脆性相,而且Al和Ni之间形成了良好的扩散连接,改善了接头性能。 相似文献
57.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
58.
59.
60.