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在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强。通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一种新的周期可控定时刷新机制,实现了对存储单元数据的周期性纠错检错。对加固SRAM单元进行分析和仿真,结果表明,在保证存储单元数据被正常存取的前提下,定时刷新机制的引入很大程度地降低了单粒子翻转引起的错误累积效应,有效降低了SRAM出现软错误的概率。 相似文献
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文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现.采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(〉50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用^252Cf辐射源,3.5uCi,以及43MeV.cm^2/mg平均LET进行。 相似文献
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研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技术;系统级抗辐射加固方式分别是三态冗余(TMR)、一位纠错二位检错(SEC-DED)和二位纠错(DEC)三种纠错方式,并针对各自的优缺点进行分析。通过对相关产品参数的比较,得到采用这些抗辐射加固设计可以使静态随机存储器的软错误率达到1×10-12翻转数/位.天以上,且采用纠检错(EDAC)技术相比其他技术能更有效提高静态随机存储器的抗单粒子辐照性能。 相似文献
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基于FPGA的星载计算机自检EDAC电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为了消除空间环境中单粒子翻转(SEU)的影响,目前星载计算机中均对RAM存储单元采用检错纠错(EDAC)设计.随着FPGA在航天领域的广泛应用,FPCA已成为EDAC功能实现的最佳硬件手段.本文介绍了EDAC的编码和实现,提出一种功能完善的、具有自检、自纠错功能的EDAC电路设计,并采用仿真工具对该EDAC电路的功能进行了验证. 相似文献
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TS-1.1小卫星星务计算机RAM纠检错电路的设计与实现 总被引:4,自引:0,他引:4
星载嵌入式容错计算机的可靠运行在很大程度上依赖于系统中存储模块的可靠设计。本文针对空间环境的故障形式,提出了采用EDAC(纠检错设计)技术对哈大工研制的TS-1.1小卫星存储模块进行设计的方法,介绍了利用纠检错处理芯片进行的对EDAC控制电路的优化设计,并可靠地实现了应用于TS-1.1卫星系统中的存储模块容错设计。 相似文献
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