紧急停车系统在合成氨装置中的应用

在合成氨装置中,用紧急停车系统(ESD)取代DCS,独立地完成装置的安全控制,提升装置的安全度等级。详细地介绍了ESD在合成氨装置的实施过程,并就软硬件平台的搭建,实施过程中的关键点做了详细阐述。     

H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)

对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电阻与维持电压之间的关系。     

1千伏以下的金属球间隙静电放电辐射特性的测量研究

In this study, the characteristics of Electromagnetic (EM) radiation caused by Electrostatic Discharges (ESDs) from metal spheres charged to voltages less than 1 kV are examined experimentally. Our experimental system consists of a pair of spherical elec-trodes of different diameters, a 1-18 GHz-band- width horn antenna and a 20-GHz-bandwidth digitizing oscilloscope. Polarization, waveform duration and peaks of antenna-received voltages from the EM field radiation are measured in order to clarify the EM radiation mechanism. The ratio of the received voltages between the antenna arr-angements of the field polarization parallel and perpendicular to the spark pass is 18 to 20 dB. The polarities of the antenna-received voltages are the same as those of the charge voltages across the gap. Moreover, the waveform duration and the first peaks increase with an increase in the diameters of the spherical electrodes. Consequently, we find that the polarization, waveform duration and first peaks of the EM field radiation can be explained by a dipole antenna structure, which makes the spark part of the spherical electrodes a feeding point on the straight line passing through the centres of the two spheres.     

苯胺装置紧急停车系统(ESD)的设计探讨

从安全生产角度出发,提出在苯胺装置设置独立的紧急停车系统(ESD)。作为安全保护系统,其权限优先于生产过程控制,实时在线监测装置的安全性。首先阐述了采用ESD的背景,然后对现有苯胺装置的生产状况和自控水平进行了介绍,提出采用ESD的必要性,最后从ESD系统设计选型、ESD功能及特点、切断阀的选用以及ESD联锁设计中需要注意的几方面详细介绍了苯胺装置紧急停车系统的设计选型与应用。     

静电及其对电子产品的危害

静电噪声会干扰电子线路,静电放电（ＥＳＤ）会使电子元器件失效或存在隐患,臻使电子产品损坏。本文从静电放电的机理入手,论述了静电产生的原因以及对电子产品的危害,并提出了有效的预防措施。     

内嵌SCR的LDMOS器件双骤回ESD特性研究

基于寄生参数分析,对内嵌SCR的LDMOS器件给出了二次骤回发生判据。本文对三种典型结构进行了数值仿真和比较,并基于此判据仿真优化了影响二次骤回的器件结构参数,从而提高器件ESD性能。TLP试验数据表明,当二次骤回电压由25.4V降低到8.1V时,器件ESD泄放能力由0.57A提高到3.1A。     

栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响

本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用.     

HDPE装置ESD系统报警功能的开发与设计

叙述了横河Prosafe-PLC紧急停车系统在工业HDPE装置的应用。由于原有系统报警功能不能满足实际工况的要求,对开发系统的软件进行研究,从功能设计到硬件连线两方面进行改进。改造后系统经实际投用,取得了满意的效果。     

CMOS射频集成电路ESD保护的挑战

随着集成电路(IC)T艺进入深亚微米水平,以及射频(Radi0.Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应.本文讨论了RF ESD保护的研究和设计领域的最新动态,总结了所出现的新挑战、新的设计方法和最新的RF ESD保护解决方案.     

硬盘磁头生产中的ESD防护技术

基于ESD在硬盘磁头生产过程中的产生机理,文章分析了ESD在磁头生产中的几种典型损坏模型,阐述了硬盘磁头生产中如何进行ESD防护,提出了对工作人员、生产机器、生产方法、物料和生产环境等有效的ESD防护技术,从而有效减少在硬盘磁头生产中ESD对磁头的损坏。