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11.
Tee Hiang Cheng 《Computers & Industrial Engineering》1998,35(3-4):607-610
There are two competing technologies for 100 Mbps Ethernet, namely IEEE 802.3u 100Base-T Fast Ethernet and IEEE 802.12 100VG-AnyLAN. The former technology is based on the same medium access control protocol as the popular IEEE 802.3 CSMA/CD network, while the later is based on a new demand priority protocol. Contrary to common belief, a test conducted recently by Newman and Levy using commercially available adaptor cards and hubs showed that 100Base-T networks outperformed 100VG-AnyLAN networks with similar configurations by a significant margin. From the analytical models developed, we found that the anomaly is due to the larger-than-expected overheads incurred by the 100VG-AnyLAN hub in polling every station in the network in a round robin manner. 相似文献
12.
电能计量箱远程监控系统 总被引:1,自引:0,他引:1
主要介绍一种基于GPRS网络通信及单片机技术实现的电力计量箱监控系统,该系统集遥测、遥控于一体,并且具有具有建网方便,运行成本低的优点。 相似文献
13.
高级别管线钢X80~X120的研发与应用 总被引:12,自引:0,他引:12
通过管线长距离运输天然气、石油是能源运输的主要方式之一。出于降低成本的需要,天然气输送管线的工作压力不断提高,这就要求应用X80-X120更高级别管线钢。根据有关的文献资料,系统整理并介绍了高级别管线钢的性能指标、成分设计以及生产应用中的热点问题,并讨论了未来中国天然气管线所采用高级别钢的可能选择。 相似文献
14.
15.
16.
针对常规分立双积分AD只能处理单端信号的问题,给出了一种输入和基准电压均支持差分信号的分立差分双积分AD;在热电阻测量中,把热电阻和基准电阻串联同一回路,以基准电阻压降作为基准,对热电阻的压降进行测量,并从软硬件两个方面对常见的误差因素进行对消处理;实验表明,该电路用于PT100测温时,跳字不超过0.1℃,精度可以达到±0.1℃,且对运放型号无特殊要求,是一种低成本、高精度的温度测量方案. 相似文献
17.
本文分析了ARAMIS型CMOS图像传感器的结构模块和上作方式.针对图像产品微型化的趋势,提出了利用ATMEG128控制EVS100K完成图像数据采集的方法.文中描述了系统的硬件设计及EVS100K应用程序设计. 相似文献
18.
交通灯检测算法作为自动驾驶任务中的一个重要环节,直接关系到智能汽车的行车安全。因为交通灯尺度小且环境复杂,给算法研究带来了困难。针对交通检测存在的痛点,提出改进YOLOv5的交通灯检测算法。首先使用可见标签比确定模型输入;然后引入ACBlock结构增加主干网络的特征提取能力,设计SoftPool减少主干网络的采样信息损失,使用DSConv卷积核减少模型参数;最后设计了记忆性特征融合网络,高效利用了高级语义信息和底层特征。对模型输入和主干网络的改进,直接提高模型在复杂环境下对特征的提取能力;对特征融合网络的改进,使模型能够充分利用特征信息,增加对目标定位和边界回归的精准度。实验结果表明,改进后的方法在BDD100K数据集上取得了74.3%的AP和111frame/s的检测速度,比YOLOv5提高11.0个百分点的AP;在Bosch数据集上取得了84.4%的AP和126frame/s的检测速度,比YOLOv5提高9.3个百分点的AP。鲁棒性测试结果表明,改进后的模型在各种复杂环境中对目标的检测能力都有显著提升,鲁棒性增加,做到了高精度实时检测。 相似文献
19.
采用常压固相烧结法制备了Al-Ti共掺ZnO靶材, 采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺, 在普通玻璃衬底上制备了具有[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜(ZATO). 采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对ZATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行了测试分析, 用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计及荧光光谱仪对ZATO薄膜的光电性能进行了测试分析. 结果表明, ZATO薄膜经500℃保温3h退火后, 择优取向由(002)向(100)方向转变; 此时, 衍射谱上还观察到超点阵衍射线条. [100]取向ZATO薄膜的光学带隙从退火前的3.29降至2.86, 平均可见光透过率从90%降至70%, 表现为一般的透过性; 而电阻率则从1.89×10-2Ω·cm降至1.25×10-3Ω·cm, 呈现较好的导电性. 薄膜中均出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰以及410、564nm的深能级发射峰, 且经500℃保温3h退火后, 这些峰的位置并未改变, 但峰强均明显减弱. 对上述实验机理进行了分析讨论. 相似文献
20.