聚（N－取代吡咯）的合成及性能

制备了５种Ｎ－取代吡咯衍生物：Ｎ－丁基吡咯、Ｎ－辛基吡咯、Ｎ－十二烷基吡咯、Ｎ－十六烷基吡咯、Ｎ－十八烷基吡咯，用化学氧化法对其实施了聚合反应，最终得到黑色粉末状产物，其电导率均在１０~（－４）以下。通过ＦＴ－ＩＲ、元素分析等手段对聚合物进行了表征．     

Fe－N系磁性材料的研究现状及展望

对Ｆｅ－Ｎ系中Ｆｅ４Ｎ和Ｆｅ１６Ｎ２磁性材料的研究现状进行了评述，并对Ｆｅ－Ｎ系磁性材料的发展方向提出了作者的观点．     

多模单晶光纤中光致折变光栅的形成及其特性

应用全息术在商品化的二氧化硅单模光纤中记录光致折变光栅已作了大量研究．本文以实验证实通常的全息术亦可在多模ＬｉＮｂＯ３单晶光纤中记录此类光致折变光栅．本文指达实验装置、技术及测试结果；并对之作出理论分析．实验中发现，用此种技术可获得半宽度２．２纳米，反射系数达５０％的窄带反射滤光片．     

N—取代—2—氨基—2—噻唑啉的质谱研究

报导了十四种N-取代-2-氨基-2-噻唑啉类化合物的质谱及其分子离子峰,其中化合物(1~13)的特征峰为:M/Z[M-28]~+、[M-43]~+、[M-101]~+、101等;化合物14为官能团化合物,其特征峰为[M-101]~+、101等。据此,提出了它们经电子轰击断裂的可能途径。     

C6H2(NO2)3ONH4的单晶制备和晶体结构

This paper introduces the preparation method of single crystal and the molecular structure of ammonium picrate.The obtained results show that the crystal of ammonium picrate belongs to orthorhombic, Ibca space group.The crystal parameters of the ammonium picrate was given in the paper .a=7.131(1),b=13.487(1),c=19.810(2),V=1905.2(4)³,Z=8,D_c=1.716mg/cm³,μ=0.159mm^-1,F(000)=1008。     

穿甲弹用单晶钨棒

美国专利US200572498中公布了一种用于制造穿甲弹弹芯的高密度单晶钨棒的制备工艺。该钨棒的主要成分是钨或者含有钽、铼、铌或钼的钨合金，钨合金中的钨含量不低于90％（质量分数）。使用沿轴向排列的【100】晶向单晶制造的弹芯用圆柱状棒材的直径超过3mm．长径比不低于10.在1600-2200℃下以低压氯气气化的粒状多晶钨为原料，采用化学气相沉积方法在加热的体心立方晶格金属丝基底上制造弹芯棒坯。     

科学家“种”出完美无瑕的单晶钻石

据媒体报道，经过数十年的实验之后，科学家终于可以“种”出可媲美最珍贵的戴比尔斯钻石的人造钻石。完美无瑕的大于2克拉的单晶钻石很快就可用一种化学蒸镀的方法“种”出来。更卓越的是，这种钻石在颜色和纯净度方面甚至超过了真的矿产钻石。     

快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.     

P型GaSb单晶研制

GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低阈值HET、FET、HBT等器件也采用GaSb为衬底。此外,GaSb单