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实验以生物质明胶为氮源和碳源,通过简单的退火方法,设计合成了具有分层多孔结构的氮掺杂多孔碳包覆二硫化钒(VS2-NC)复合材料。利用X射线衍射仪、扫描/透射电镜、光电子能谱仪等测试手段进行结构表征,利用电化学工作站进行电化学性能测试。结果表明,制备的VS2-NC复合材料架构稳定、比表面积大、活性位点多、有利于电荷传输和离子扩散。在10 A·g-1的电流密度下,VS2-NC复合材料可达到407.3 F·g-1的比电容,经历5 000次长循环后仍可保持86%的放电容量,展现出了优异的赝电容性能。作为综合实验,实验体系完整,内容涵盖化学、材料、物理等多门学科,涉及多种仪器使用,覆盖面广,能充分体现出学科间的交叉融合。学生可在锻炼实验操作技能的基础上,充分了解科学前沿和热点问题,拓宽学科的深度与广度,提升综合科学思维能力,培养创新意识和创新能力,理论联系实际,培养更多适应社会需要的综合型、应用型、创新型人才。 相似文献
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以三聚氰胺作为氮源,植酸作为磷源,在900℃下将氧化石墨烯碳化为还原氧化石墨烯,得到N、P掺杂材料900-RNPG,利用SEM、EDS技术表征N、P原子被成功掺入材料,将该材料滴涂到裸玻碳电极GCE烘干,再滴涂乳酸脱氢酶和NAD+,得到乳酸传感器900-RNPG/GCE。通过电化学交流阻抗法EIS、循环伏安法CV、计时电流法it,研究了900-RNPG/GCE传感器对乳酸的电化学特性,在最优条件下,该传感器对乳酸在100μmol/L-7 mmol/L范围内有良好的线性范围,检出限为33.4μmol/L(S/N=3),具有较高的响应电流值、较宽的线性范围、较低的检出限以及较强的抗干扰能力,可以有效应用于乳酸含量检测。 相似文献
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随着科技的高速发展,多铁性材料已经成为传感器、微波器件、数据存储、自旋电子学及太阳能电池等领域的研究热点,在智能材料与器件方向显示出可观的应用潜力。BiFeO_3及其衍生的一系列材料Bi_(1-x)AxFeO_3(A=La,Nd,Sm)、BiFe_x B_(1-x)O_3(B=Ni,Mn,Co)的发现使得多铁性材料获得了更迅猛的发展。这类材料属于单相钙钛矿氧化物型多铁材料,在室温以上同时具有铁电、压电、介电、电光、铁磁、光伏、磁电耦合、光催化等效应。BiFeO_3作为一种单相多铁性材料,与同类的多铁性材料相比,其具有较高的居里温度、尼尔温度以及较小的光学禁带宽度和较好的化学稳定性等特点。然而,在制备BiFeO_3的过程中,部分Fe~(3+)向Fe~(2+)转变,并且铋元素熔点较低容易挥发,产生大量的氧空位,造成漏电流较大,很难得到具有较高剩余极化强度的样品;并且BFO薄膜室温下弱的磁性等性质使其实际应用受到极大的限制。多年来国内外学者致力于改善制备条件和参数,使用更先进的制备方法,改用更合适的衬底材料及进行离子掺杂等,以制备多层复合薄膜。其中,离子掺杂对减小漏电流,提高铁电性及室温磁性方面的效果最为理想。各国研究者已经制备出比纯BiFeO_3材料性能更好的掺杂和复合BiFeO_3材料。在不同的位置掺杂多种元素较掺杂单一元素能更好地改善材料的性能。最新报道的采用溶胶-凝胶法制备的多个混合掺杂离子Bi_(0.88)Sr_(0.03)Gd_(0.09)Fe_(0.94)Mn_(0.04)Co_(0.02)O_3薄膜的剩余极化强度增加到108μC/cm~2,显著高于La、Mn、Zn等元素单掺杂得到的极化强度(69.47μC/cm2)。同时,掺杂BiFeO_3薄膜的磁化强度比纯BiFeO_3薄膜提高了3~4倍。这可能是源于:掺杂离子抑制Bi3+的挥发和Fe3+的还原,减小氧空位和缺陷浓度,从而减小漏电流,进一步改善BiFeO_3薄膜的铁电性能;掺杂离子也会导致结构的畸变而打破其螺旋磁结构,从而产生较强的室温磁性。本文首先简单介绍了BiFeO_3材料的结构及其掺杂元素的种类,然后讨论了A位、B位和AB位共掺杂离子对提高BiFeO_3薄膜弱的室温磁性以及减小漏电流、提高铁电性产生的影响,并进一步分析了产生影响的原因,最后提出了未来研究工作的方向。 相似文献
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结合近年来国内外相关文献,综述了纳米WO3材料的研究现状与进展,重点概述了超细WO3粉体和纳米WO3薄膜的各种制备方法及各自优缺点,并介绍了纳米WO3薄膜的稀有金属掺杂研究等;分析了纳米WO3材料的研究意义,介绍了纳米WO3材料在变色及催化等方面的应用。最后分析了纳米WO3材料应用的发展趋势。 相似文献
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通过室温固相法制备了不同元素掺杂的前驱体,并采用分步煅烧法获得了尖晶石型LiMn2O4和LiM0.2Mn1.8O4(M=Mg、Cd)相。采用XRD和FTIR技术就元素掺杂对产物晶格畸变、Mn—O键长和键能强度等微观结构参数和光谱频移现象进行分析。结果表明,不同元素掺杂导致产物产生不同程度的晶格畸变。Mg元素掺杂使晶格收缩,Mn(Ⅳ)—O和Mn(Ⅲ)—O键收缩和键能强度增加,对应吸收峰发生蓝移;Cd元素掺杂使晶格膨胀,Mn(Ⅳ)—O和Mn(Ⅲ)—O键增长和键能强度降低,对应吸收峰发生红移。 相似文献
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