硅基磁电阻研究取得新进展

清华大学材料科学与工程系章晓中教授近日在《自然》上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》,这也是中国首次以第一单位在Nature/Science杂志上刊登磁电阻领域的研究成果,是该领域中的一个重大突破。章晓中研究组发现在掺杂浓度极低的硅中,可通过少数载流子注入的方式引入迁移     

提高KFC框架材料的强度

根据P、Fe和Sn在铜合金中的强化机理,通过控制熔体中P、Fe／P和Sn,提高KFC的强度和抗软化能力。结合生产实际,经过数据跟踪和分析,得出合金中P、Fe／P和Sn最佳的成分配比。     

稀土Dy~(3+)掺杂Fe_3O_4纳米颗粒的合成与磁性

以二价、三价硫酸铁和硝酸镝、氢氧化钠为原料,合成出Dy掺杂铁氧体纳米颗粒,并用月桂酸进行了表面修饰。用透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)对颗粒的形貌、晶型结构进行了表征,用振动样品磁强计(VSM)测量其磁性能。XRD测试结果表明产物的结构为面心立方尖晶石型;TEM照片表明产物的成球性好,且大部分颗粒的粒径在13~15nm左右;室温下的磁化曲线表明产物无剩磁和矫顽力,具有超顺磁性。并且发现,与相同工艺、相同条件下合成的未掺杂Fe3O4纳米颗粒相比,Dy掺杂铁氧体纳米颗粒的磁性能显著提高。     

ICP-OES法快速测定LiFePO4中锂铁磷三元素及掺杂元素

提出一种测定磷酸铁锂材料中锂铁磷主体三元素及掺杂金属元素(锆、镁、锰、铝、钛、锌、铬)的方法。在较大的酸度条件下用盐酸溶解试样,保持酸度(6 mol/L HCl以上)使掺杂的锆元素生成ZrP2O7.5 H2O沉淀,过滤后滤液用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-OES)测定锂铁磷主体三元素及掺杂金属元素,滤渣灰化后在850℃灼烧,用重量法测定锆元素。     

纳米硅胶体铅酸善电池

从原理上分析了纳米气相二氧化硅胶体铅酸蓄电池的特性,介绍了一种研究成果,应用于铅蓄电池的硅胶体的制造原理和方法。主要是利用表面化学的基本原理和电化学动力学催化的基本方法,应用纳米气相SiO2溶胶的半导体掺杂电化学界面催化理论和纳米气相二氧化硅的表面改性理论,对纳米气相二氧化硅的表面改性,应用湿法改性：用有机改性,填加偶联剂和高分子表面活性剂和分散剂,如萘黄酸甲醛缩合物、聚丙稀酸、乙二醇、丙稀酸等。用无机改性,填加硼、磷、锡、硒等元素的化合物,都能达到改性的目的。使铅酸蓄电池具有克服了三种早期容量损失达到长寿命、大容量等优良的特性。     

硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ进行了真空退火,并测量了电导率随温度的变化关系．发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小,室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级,同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性     

Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究

研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱,并与未掺杂样品相比较,发现掺杂样品的发光峰红移,其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ,双边势垒掺杂样品红移的量更多约１２ｍｅＶ．本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多．用有效质量方法计算３个样品的光致发光能量,并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象．