全文获取类型
收费全文 | 32605篇 |
免费 | 3348篇 |
国内免费 | 1458篇 |
专业分类
电工技术 | 511篇 |
综合类 | 1616篇 |
化学工业 | 11387篇 |
金属工艺 | 1464篇 |
机械仪表 | 1521篇 |
建筑科学 | 585篇 |
矿业工程 | 503篇 |
能源动力 | 1044篇 |
轻工业 | 7000篇 |
水利工程 | 176篇 |
石油天然气 | 1866篇 |
武器工业 | 243篇 |
无线电 | 2604篇 |
一般工业技术 | 4279篇 |
冶金工业 | 1094篇 |
原子能技术 | 676篇 |
自动化技术 | 842篇 |
出版年
2025年 | 14篇 |
2024年 | 818篇 |
2023年 | 777篇 |
2022年 | 966篇 |
2021年 | 1394篇 |
2020年 | 1468篇 |
2019年 | 1497篇 |
2018年 | 1293篇 |
2017年 | 1463篇 |
2016年 | 1469篇 |
2015年 | 1320篇 |
2014年 | 1833篇 |
2013年 | 2155篇 |
2012年 | 2185篇 |
2011年 | 2105篇 |
2010年 | 1489篇 |
2009年 | 1572篇 |
2008年 | 1303篇 |
2007年 | 1676篇 |
2006年 | 1495篇 |
2005年 | 1329篇 |
2004年 | 1092篇 |
2003年 | 966篇 |
2002年 | 835篇 |
2001年 | 742篇 |
2000年 | 677篇 |
1999年 | 597篇 |
1998年 | 500篇 |
1997年 | 443篇 |
1996年 | 330篇 |
1995年 | 307篇 |
1994年 | 216篇 |
1993年 | 220篇 |
1992年 | 186篇 |
1991年 | 113篇 |
1990年 | 96篇 |
1989年 | 73篇 |
1988年 | 73篇 |
1987年 | 44篇 |
1986年 | 36篇 |
1985年 | 49篇 |
1984年 | 51篇 |
1983年 | 31篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 21篇 |
1980年 | 22篇 |
1978年 | 8篇 |
1976年 | 5篇 |
1974年 | 4篇 |
1951年 | 16篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
栅状表面基板对液晶分子有特殊的锚定作用,其锚定的强度和易取方向与栅状表面的几何参数相关。两块预先处理的栅状表面基板可以制成液晶显示器件,其光学特性也与栅状表面的几何参数相关。文中基于Frank弹性理论和栅状表面基板的等效锚定能公式研究了外加电压下此种液晶盒的光学特性,并通过计算机模拟得到了不同栅状表面液晶盒的电光曲线,且与栅状表面液晶盒的闽值电压进行了比较。 相似文献
142.
基于液晶的电场调控特性及激光染料作为增益介质的增益模型,通过传输矩阵法理论研究了液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性。数值结果表明:随着垂直入射光和电场方向的夹角θ的增大,局域模波长向短波方向移动;当角度θ在(0°,90°)范围内变化时,局域模波长最大调控量达56.7nm;激光染料泵浦后不改变局域模的位置,但局域模的透射率变大了;随着增益系数的增大,局域模透射率先增大后减小,不同局域模对应不同的泵浦阈值,并且随着夹角θ的增大局域模对应的泵浦阈值将减小。 相似文献
143.
144.
145.
以Al2O3、Y2O3(质量比为2:3)为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1900~1970℃、30 MPa下热压制备SiC陶瓷.根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM(EDS)及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热导率进行表征.研究了烧结温度、烧结气氛和烧结助剂含量对材料烧结性能和热导率的影响.结果表明,当烧结助剂质量分数为10%,获得SiC致密体(气孔率<0.30%),热导率高达182.50 W/(m·K);随着烧结助剂的质量分数降至6%,材料的致密度和热导率皆明显下降;在氩气氛中SiC与Al2O3、Y2O3具有更好的润湿性. 相似文献
146.
147.
148.
InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5~5.5 eV光子能量范围采用紫外—可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S.Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1 Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λ5v→Λ6c(或L4v.5→L6c)和Λ6v→Λc6(或L6v→L6c)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向. 相似文献
149.
150.