HDI技术发展及对PCB企业的影响简

HDI经过二十几年的发展,无论是技术还是客户都发生了巨大的变化,本文回顾了HDI的发展历程,阐述这些发展变化对企业的影响,并分析了中国4G带来的商机,认为HDI未来仍会继续保持增长势头,应用领域仍在扩展中。     

HDI板分层原因研究及解决方案

通过热应力实验、SEM、EDX、金相切片分析等方法对HDI板生产中易出现分层的各环节进行了探究,结果表明:半固化片储存时吸潮、塞孔后树脂未除净、棕化后清洗用的DI水pH值较低、压合时受力不均是HDI板制造中引起分层的主要原因,并给出了相应的改进措施,提高了产品合格率。     

HDI板埋孔填胶工艺研究

HDI板在生产过程中用LD半固化片填胶的加工工艺。分别通过理论计算分析了LD半固化片(1037)理论含胶量及实际所需胶量的一种量化关系,并以田口-DOE实验法探讨了LD半固化片填胶过程中表面凹陷产生的主要原因,对制作HDI使用半固化片直接填孔选材与工艺有重要的参考意义。     

高密度互连技术及HDI板用材料的研究进展

为了适应电子产品向更轻、更小、更薄、可靠性更高的方向发展,电子封装对高密度互连(HDI)技术提出了更高的要求.HDI技术在ULSI中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能.综述了先进的HDI技术及其应用概要,分析了HDI制造工艺中的几种成孔方法,其中包括HDI线路通导的方式和纳米精细线路的制作工艺,阐述了HDI板用积层材料的发展方向以及两种新型的HDI板用材料:液晶聚合物和AS-11G树脂.以通孔微小化和导线精细化等为核心的HDI技术满足了电子封装技术不断提高封装密度的需要,将成为下一代PCB的主流技术.     

HDI多层板走过二十年(1)——对二十年来HDI多层板及其基板材料技术创新的评析

对近二十年来多层板及其基板材料技术发展的过程、特点、趋势等做了回顾与分析,并对它的未来发展做了展望。     

一种任意层HDI板制作工艺技术的研究

介绍了一种任意层HDI板的制作工艺,针对该类板的制作难点进行分析并提出解决方法。以一种十层任意层HDI板的制作为范例,重点对该制作工艺的激光、线路和电镀等重要制程的控制参数、难点及注意事项进行了讲解,为同行各企业提高生产生产任意层HDI板的技术水平起到抛砖引玉的作用。     

用于HDI的新型感光抗蚀材料与图形转移技术

随着高密度互连(HDI)技术的发展,IC封装密度的提高,高解析度(分辨率)、均一性良好的超薄感光抗蚀膜成为必然需求,文中介绍了电沉积技术(ED)成膜的方法、原理以及相应的图形转移技术,并与传统干膜、旋涂成膜工艺进行对比,结果表明ED膜具有良好的粘附力、很高解析度以及精确的图形精度。     

中国PCB工业的竞争能力

本文短评了中国PCB工业在常规PCB产品的市场竞争优势,但在新一代PCB产品的市场竞争中并不占优势。     

Electrosynthesis and structural characterization of a novel aryl ether trimer

The structure of a novel trimer formed by three p-tert-butyl anisole moieties via the controlled potential electrolysis of p-tert-butyl anisole was determined by X-ray diffraction method. By cyclic voltammetry, we report a multistep electron transfer, each followed by a chemical reaction, resulting in an ECECEC mechanism. Preparative scale oxidation of p-tert-butyl anisole in dry acetonitrile leads to its two first oligomers. The symmetrical dimer, 2,2′-dimethoxy-5,5′-di-tert-butylbiphenyl, shows that the favored coupling sites are those in the ortho position of the methoxy group. The title compound, namely the 1-methoxy-bis-2,3-(2′-methoxy-5′-tert-butylphenyl)-4-tert-butylbenzene crystallizes in triclinic space group P-1 with a = 10.571(3) Å, b = 11.739(1) Å, c = 12.733(2) Å, α = 74.64(1)°, β = 88.71(2)°, γ = 76.58(2)°, V = 1480.8(5) Å³, and Z = 2. The structural analysis reveals that two p-tert-butyl anisole moieties are linked in ortho position on a third p-tert-butyl anisole fragment.     

增强HDI线路板生产过程精密度的再循环蚀铜系统

蚀铜过程是生产线路板的一个关键步骤。随着蚀铜过程的进行,蚀铜液中的一价铜离子浓度不断增加,造成蚀铜液的蚀铜能力下降。本研究项目使用了掺硼的人造钻石(BDD)电极,它能使水产生具有强氧化性的氢氧自由基,有效地将一价铜离子氧化成为二价铜离子,从而恢复蚀铜液的蚀铜能力。实验进一步证实,一套以BDD电极为核心的装置可以实现蚀铜液连续再生,并能维持高蚀铜速度。