一种经济型永磁同步电机矢量控制伺服系统设计研究

给出了一种基于数字信号处理器和智能功率模块的经济型永磁同步电动机矢量控制系统方案,详细阐明了系统硬件组成和软件实现方法。实验结果说明,系统动态和静态性能优良。     

IPM时间参数测试方法研究

IPM（智能电力模块）是广泛应用的电力集成电路之一，其各项参数决定了电源部件的正常运作。测试平台以计算机为中心进行，对数据读入并处理。采用滤波等方法处理各种干扰，对于可能出现的异常也提出了解决方法，保证了测试的精度。经测试，达到器件测试的精度要求，使用方便，该系统安全可以替代手工测试，提高了工作效率，安全可靠。     

基于DSP的全数字直流电机驱动电源设计

论述了一种用IPM构建的桥式PWM斩波直流电机驱动的设计方案,驱动系统以TMS320LF2407A DSP微处理器为控制核心,采用带电流内环的闭环速度反馈控制策略,实现电机高性能运转、全数字控制.最后给出了实验结果和结论.     

交流异步电动机全数字矢量控制的DSP实现

简述了交流调速理论和电子电力器件的发展，利用TMS3202407 DSP以及第四代电子电力元件IPM，实现了矢量控制变频算法，提出了一种高性能通用变频器的设计方法。     

一种新型电动负载模拟系统加载电机驱动器

电动负载模拟器是被动式力矩伺服系统在工程实际中的一种典型应用.针对以永磁式直流力矩电机为加载执行机构的负载模拟系统,提出一种新的加载执行电机驱动器拓扑,旨在提高电机制动时的能量释放速度,提高加载精度和系统频宽.并阐述了基于IPM的主电路及基于DSP TMS320F2812A的控制电路设计方案.实验结果表明,所提出的新型驱动器在无扰跟踪正弦转矩加载实验中在频率8 Hz下满足双十指标,较传统驱动器在加载性能上有较大幅度的提高.     

基于TMS320F2812的电力机车110V大功率开关电源全数字化设计

介绍了采用TI公司32位工业控制专用数字信号处理器TMS320F2812作主控制器的电力机车用直流110V高频大功率开关电源全数字化系统设计方案,详细描述了系统的硬件结构与软件控制算法。实验与样机装车实际考核证明,该方案技术先进,性能优良,值得继续深入研究与推广。     

Analytic Path Planning Algorithms for Bipedal Robots without a Trunk

This paper presents new path planning algorithms for bipedal robots without a trunk. The proposed methods can be regarded as an extension to the concept of the inverted pendulum mode (IPM). Further, they fill the gap between the IPM and concepts, based on general dynamic modeling. The swing leg motion is adjusted almost arbitrarily and the torso motion is calculated analytically in order to ensure stability. The proposed methods show a higher gait stability compared to literature approaches. This improvement is verified by measurement of the foot reaction forces during the walk of the existing biped BARt-UH and simulations.     

用于马达控制的电力变换器和新型电力元件

介绍了用于马达控制的电力变换器和电力半导体开关变换元件 ,包括各种电力变换器型式及方式、新型电力半导体元件 IGBT和 DUGMOT。     

满足电力系统静态安全稳定要求的软件设计

文章介绍了一种满足电力系统静态安全稳定运行要求的软件设计方法,通过解析电网运行的BPA数据,将原数据进行潮流计算和校验,并分析电网Ⅳ_l校验后出现的线路过流问题,采用内点法对机组出力进行优化调整,最后给出系统安全稳定运行的配置方案。通过实验测试表明,该软件界面友好、使用方便、运行稳定,能准确快速地筛选出故障线路并且给出相应的满足静态安全稳定运行的优化配置,可以有效提高全网安全稳定运行水平,为制定电网的运行方式提供理论依据。     

dV/dt对IPM中IGBT栅极电路的影响分析

The effect of dV/dt on the IGBT gate circuit in IPM is analyzed both by simulation and experiment.It is shown that a voltage slope applied across the collector-emitter terminals of the IGBT can induce a gate voltage spike through the feedback action of the parasitic capacitances of the IGBT.The dV/dt rate,gate-collector capacitance, gate-emitter capacitance and gate resistance have a direct influence on this voltage spike.The device with a higher dV/dt rate,gate-collector capacitance,gate resistance and lower gate-emitter capacitance is more prone to dV/dt induced self turn-on.By optimizing these parameters,the dV/dt induced voltage spike can be effectively controlled.