基于浓厚分散系 HANAI 理论的血液温度生物 电阻抗特性量化表征研究

温度是人体的重要机能,血液温度变化监测对人体健康评估尤为重要。本文提出拓展的浓厚分散系HANAI理论,结合生物电阻抗谱,量化表征温度对血液生物电阻抗特性的影响规律,为监测血液温度及相关血液疾病的演变过程提供基础。试验结果表明,随着温度T不断上升,血液的生物电阻抗参数Z~*持续下降;奈奎斯特峰值电阻参数R_c和峰值电抗参数X_c与温度T有良好的线性关系,可描述为R_c=-0.3T+24.14和X_c=0.08T-5.78。将传统HANAI方程进行拓展,并进行多物理场数值模拟,其数值分析、模拟结果与试验结果较好吻合,揭示了血浆电导率σ_p和细胞质电导率σ_c是温度对血液生物电阻抗特性的主要影响因素。本文展示了一种潜在的血液温度监测方法,在临床医学领域或有一定的科研与应用价值。     

C51嵌套汇编子程序在阻抗测试仪研制中的应用

C51嵌套汇编子程序，充分发挥了两种语言自的优势，介绍了C51调用汇编子程序的接品规则，并通过阻抗测试仪程序开发的例子予以详细说明。     

结温在线控制系统的IGBT功率模块热耦合模型

应用有限元法，对IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究，得到了器件的稳态热阻及瞬态热阻抗。研究了功率模块各芯片之间的相互热影响，提出了热耦合效应热模型的统一结构，基于对瞬态热阻抗曲线的拟合，得到热模型的相关参数，从而建立了热耦合效应热模型。以一个降压变换器为例，阐述了结温在线控制系统的工作原理，并将热模型应用于该系统中，计算结果与测量结果非常一致。     

论高频屏蔽体的波阻抗及屏蔽效能

介绍了屏蔽体波阻抗及涡流系数与材料的主要特性参数的关系,并对当前德、俄与美、英等国所用的屏蔽效能计算公式进行了比较，最后介绍如何合理选择屏蔽结构以提高屏蔽体的屏蔽效果。     

UART通信的FPGA实现设计

阐述了UART异步串行通信原理，介绍了实现UART异步串行通信的硬件接口电路及各部分硬件模块，介绍了用硬件描述语言Verilog来开发UART通信接口电路的FPGA实现。本设计使用Xilinx的FPGA器件，将UART的核心功能嵌入到FPGA内部，不但实现了电路的异步通讯的主要功能，而且使电路更加紧凑、稳定、可靠。     

电小天线匹配网络中负阻抗变换器的研究

根据非福斯特电路的负阻抗变换特性,研究了有源宽带匹配网络。采用晶体管设计负阻抗变换器,结合传输矩阵对网络电路进行了分析。通过仿真和实验实现了在10~100 MHz的负电抗变换。结果表明,该电路20~60MHz转换效率大于90%,测试结果与模拟结果基本一致,验证了负阻抗变换器的可行性和有效性。利用该电路结构能够对电小天线进行宽带匹配,提高天线的工作带宽和辐射性能。     

高功率光纤熔融器件设计综述

近年来,高功率光纤激光发展迅猛,基于光纤熔融器件的全光纤激光系统可以更好地发挥出光纤激光所固有的体积小、质量轻、稳定性和可靠性高等优势。高功率条件下,器件局部发热可能给器件带来灾难性的故障。决定器件高功率承受能力的不是传输功率,而是器件处理光功率损耗的能力。本文详细分析了单模器件和多模器件中的损耗产生机制,指出了低损耗设计的实现方法。减小器件封装的热阻也可以提高器件的功率耐受能力,文中对封装的设计给出了实用的建议。     

Analysis of Characteristic Impedance and Effective Dielectric Constant of Asymmetrical Coplanar Waveguide with Finite Dimensions

Conformal mapping techniques are used to obtain the closed-form expressions of the characteristic impedance and effective dielectric constant of the asymmetrical coplanar waveguide with finite line dimensions and substrate thickness. These closed-form expressions are generally applicable to design various particular types of coplanar waveguide transmission lines.     

Effects of gate dielectric surface modification on phototransistors with polymer-blended benzothieno[2,3-b]benzothiophene semiconductor thin films

In the present work, we investigated effects of the dielectric/semiconductor interface modification on the photoelectrical properties of phototransistors comprising a UV responsive semiconductor blend 2,7-dipentyl-[1]benzothieno[2,3-b][1]benzothiophene (C5-BTBT) and a linear unsaturated polyester (L-upe). Using various self-assembly monolayers with different end-groups at the dielectric/semiconductor interface we modulated the drain photocurrent and response times under the UV light illumination of phototransistors. Treatment of the SiO₂ dielectric surface with organosilanes led to the variation of the max mobility in the dark 0.10–0.18 cm² V⁻¹ s⁻¹ and under UV light 0.08–0.50 cm² V⁻¹ s⁻¹. Interestingly, detailed crystal structure analysis using 2D X-ray diffraction and photoelectrical characterization revealed that mobility in the dark predominantly depends on the alignment of C5-BTBT crystallites at the interface. Under UV light, the mobility increased with the electron withdrawing/donating nature of the SAM end-functional group. Additionally, chemical modification of the SiO₂ dielectric surface increased photocurrent relaxation/decay times upon UV light removal while retaining fast response times when exposed to UV light, which enhanced memory properties of fabricated phototransistors (fast UV response = writing and long relaxation = long data storage).     

约束层材料及靶材表面特征对激光冲击波的影响

观测了不同约束层材料及不同靶材表面特征情况下产生的激光冲击波。实验发现 ,约束层对激光冲击波的脉宽有显著的展宽作用 ,且冲击波的峰压值随约束层材料的声阻抗的增大而增大。另外 ,研究了表面涂层对冲击结果的影响 ,重新认识了其作用。针对于实际应用 ,还试验了曲面靶材的冲击强化 ,讨论了约束结构的有效性问题。