在PowerBuilder中实现用户界面的中英文切换

本文详细讨论了在PB开发的系统中中英文界面切换的实现思路，并针时窗体、菜单、数据窗口、Tab控件、用户对象等给出具体的实现方法。该方法适用于PB各种版本，通用性较强。     

基于能力培养的“电路分析基础”课程教学过程设计

安徽三联学院是一所以培养学生各项能力为主要目标的应用型本科高校,教师在教授学生理论知识的同时更应注重培养学生的各项能力,文章以"电路分析基础"课程为例,说明在日常教学活动中如何通过对教学过程的设计,包括课前、课中及课后三部分的设计管理,体现对学生独立思考、分析计算、科学归纳等各项能力的培养,将能力提升融入课程教学里。     

一种适用于DCO-OFDM系统的DFT信道估计算法

针对直流偏置光正交频分复用系统中传统离散傅里叶变换(DFT)信道估计算法运算复杂度高和循环前缀(CP)内存在非有效信道系数的问题,提出厄米特对称的DFT(H-DFT)阈值改进信道估计算法.首先,根据信道时域响应变换到频域满足厄米特对称的性质,只需对有效子载波的信道频域响应做厄米特对称即可获得全部子载波的信道频域响应;其...     

DSP芯片外部存储器接口设计一例

文章介绍了一个32位通用DSP芯片中外部存储器接口的设计方案，该方案的突出特点是：接口位宽可根据片外存储器的位宽灵活地调整为8／16／32位，并可同时适应内部数据类型8／16／32位的变换。     

某药柱压药工艺的改进

为解决某药柱压药工艺存在的缺陷和弊端,对其进行技术改进。根据油压机和该药柱的特征,设计适应 于自动化压药工艺需要的压药模具,将“人工加单机压药工艺”改为“自动压药工艺”,在8701 炸药特性的基础上, 增加炸药预热。实验结果表明：某药柱压药工艺经技术改进后,能实现自动化压药,有效解决该药柱“人工加单机” 压药时存在的缺陷和弊端,减轻劳动强度,提高压药生产效率和本质安全性。     

A comparison of commercially available quasistatic meters and methods

The capacitance-voltage (C-V) technique is one of the most powerful and direct methods to investigate interface traps in metal-insulator-semiconductor (MIS or MOS) related devices. As the C-V technique is of such fundamental importance in detecting and monitoring process related defects the systematic measurement concerns, misinterpretations and limitations associated with the equipment used to implement this technique must be fully understood and characterized. This study reports the results of a detailed comparison of both the (raw) measured C-V curve and the (analyzed) interface trap density versus energy data obtained using commercially available quasistatic meters, specifically the Hewlett-Packard (HP) model 4140B quasistatic/dc picoammeter and the Keithley model 595 quasistatic meter.     

Effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability of MOSFETs

For a surface-channel n-MOSFET and a buried-channel p-MOSFET, the effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability (BTI) was investigated. The gate oxide thickness, t_ox, of the test MOSFETs was 2.0, 3.0, or 4.5 nm. The shifts of threshold voltage V_th and of linear drain current I_dlin were measured after applying a BTI stress at a temperature of 125 °C. The measured shifts of V_th and I_dlin indicate that BTI on ultra-thin gate CMOS devices appears only in the form of SiO₂/Si interface degradation, and that the positive BTI for the n-MOSFET as well as the negative BTI for the p-MOSFET is important for the reliability evaluation of CMOS devices. Because of positive plasma charging to the gate, a protection diode was very efficient at reducing BTI for the p-MOSFET, but it was much less effective for the n-MOSFET.     

信息融合工程数据库管理系统的设计与实现

文中介绍了以公共网关接口（CGI）为公共接口,通过WinSock进行通信的数据融合工程数据库管理系统的开发实例,并介绍了该系统的组成、结构以及应用情况,较为详细地说明了数据融合技术下数据库管理的特点,指出它与一般数据库系统的区别,并对该系统的进一步完善进行了展望。     

自动检测系统原理应用和发展状况的研究

自动检测系统广泛应用于各类产品的设计、生产、使用、维护等各个阶段,对提高产品性能及生产率、降低生产成本及整个生产周期成本起着重要作用。首先介绍了检测、检验以及自动检测系统的概念,其次通过自动检测系统的各个组成部分,详述了系统的工作原理,介绍了自动检测系统组建的概念、结构以及在组建中所使用的关键技术。对早期的自动检测系统和新一代自动检测系统进行了介绍,并详述自动检测系统的3个发展阶段。     

箔式聚丙烯电容器电压失效机理及工艺控制

箔式聚丙烯电容器在高温负荷及整机使用时易击穿。为了改善箔式电容器的抗电性能,对切割、卷绕、热压、焊接和浸渍工艺进行了研究。结果表明:切割时应尽量消除铝箔毛刺,卷绕时毛刺应卷在芯子端面,热压压强取5.88MPa,焊接时控制引线间距,浸渍应在真空度为–0.09MPa时进行。