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利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。 相似文献
24.
ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算 总被引:3,自引:0,他引:3
从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果,应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。 相似文献
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Metin Kul Muhsin Zor Ahmet Senol Aybek Sinan Irmak Evren Turan 《Solar Energy Materials & Solar Cells》2007,91(10):882-887
The CdO:F samples have been deposited onto microscope glass substrates at 250 °C by ultrasonic spray pyrolysis method. With the incorporation of fluorine into CdO, the direct optical transition has shifted towards the shorter wavelengths, and the transparency of the material has increased at a given wavelength above the fundamental absorption edge. The shift in the absorption edge is explained by means of the Moss–Burstein effect, which is also supported with the results of the current–voltage characteristics. Here, a correlation has been established between the band broadening and the increase in conductivity due to the increase in carrier density. 相似文献
27.
Properties and Performance of Cation-Doped Ceria Electrolyte Materials in Solid Oxide Fuel Cell Applications 总被引:1,自引:0,他引:1
Christopher Milliken Sivaraman Guruswamy Ashok Khandkar 《Journal of the American Ceramic Society》2002,85(10):2479-2486
Cation-doped CeO2 electrolyte has been evaluated in single-cell and short-stack tests in solid oxide fuel cell environments and applications. These results, along with conductivity measurements, indicate that an ionic transference number of ∼0.75 can be expected at 800°C. Single cells have shown a power density >350 mW/cm2 . Multicell stacks have demonstrated a peak performance of >100 mW/cm2 at 700°C using metallic separators. 相似文献
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29.
湿化学法制备纳米ATO导电粉 总被引:19,自引:0,他引:19
采用非均相成核法 ,在Sn(OH) 4 晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH) 4 ,制备纳米ATO粉末。以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响。以TG DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程 ,XRD显示为四方金红石型结构 ,平均粒径为15nm。当Sb/Sn(mol比 ) =0 .0 5 ,pH =2 ,T =60℃ ,SnCl4=1.2~ 1.8mol·L-1时 ,粉体电阻小于 0 .5Ω。 相似文献
30.
过渡金属对Au-Pd/TiO_2-Al_2O_3催化剂加氢脱硫性能的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了掺杂过渡金属Ru,Ni,Co对Au-Pd/TiO2-Al2O3催化剂催化噻吩加氢脱硫活性的影响,并采用X射线衍射、电感耦合等离子发射光谱、程序升温还原和程序升温脱附等方法对TiO2-Al2O3复合载体、Au-Pd/TiO2-Al2O3和Au-Pd-TM/TiO2-Al2O3(TM表示过渡金属)催化剂进行了表征。实验结果表明,掺杂过渡金属未改变Au-Pd/TiO2-Al2O3催化剂的结构;掺杂Ru或Ni增强了Au-Pd/TiO2-Al2O3催化剂的活性组分与TiO2-Al2O3复合载体的相互作用,降低了反应活化能,提高了催化剂活性组分的分散度和活性比表面积,改善了Au-Pd/TiO2-Al2O催化剂的吸附性能,从而提高了Au-Pd/TiO2-Al2O3催化剂催化噻吩加氢脱硫的活性;而掺杂Co的效果则与之相反。 相似文献