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41.
42.
A kind of MEMS vector hydrophone with bionics structure was introduced in 2007. As the acoustic-electric transducer structure and the acoustic package of hydrophone have been optimized, the performance of the hydrophone has been greatly improved compared with the previous. This hydrophone calibration was completed in the National Defense Underwater Acoustics Calibration Laboratory of China. According to the test results, the sensitivity of the hydrophone is −165 dB (including pre-amplification 20 dB), the frequency response ranges from 20 Hz to 2 kHz (±5 dB), and this hydrophone has a good directional pattern in the form of “8”-shape. 相似文献
43.
介绍了MEMS微针技术在微针制备工艺、力学和流体性能模拟以及透皮给药方面研究的近况。描述了硅、金属和聚合物材料的微针制备工艺,分析了这些材料在MEMS微针应用上的优缺点。比如硅微针制备工艺成熟但是硅的质地太脆;金属微针机械强度高却不易载药;聚合物微针易于批量化复制但是机械强度差。进一步阐述了微针研究取得的进展,总结了微针技术发展需要解决的关键问题。微针制备工艺已经日趋成熟,微针将朝着可复制化、批量化方向发展,微针经皮给药将逐渐从动物实验转移到人体实验,以实现微针研究的最终目的——临床给药。 相似文献
44.
文中着重阐述了基于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)技术制造的薄膜体声波谐振器/滤波器,简述了它的结构及原理,分析了其主要特征参数和设计方法,并设计了中心频率为2.4GHz,带宽为100MHz的带通滤波器,展示了薄膜体声波谐振器/滤波器的突出性能,为通信MEMS技术的微型化发展提供了更广阔的道路。 相似文献
45.
46.
介绍了放射性同位素63Ni同位素微电池(radioisotope micro battery)的工作原理、结构和性能指标,建立了电池电流的计算公式。针对传统同位素微电池的倒三角直槽型或倒金字塔型能量转换结构表面积较小的缺陷,设计了一种垂直侧壁方孔阵列型的能量转换结构,增大了其表面积,得到最佳结深范围2μm~3μm,最佳掺杂浓度NA=1020/cm3,ND=1017/cm3。在此基础上加工出63Ni同位素微电池,并对其进行测试性能,得到开路电压Voc=127 mV,电流密度JSC=4 nA/mm2,功率密度Pm=0.41 nW/mm2,与设计结果相符。 相似文献
47.
为了快速有效地验证接口电路的可行性,对Si微陀螺建模方法及陀螺结构与接口电路的混合仿真方法进行了研究。在Si微陀螺动力学特性分析的基础上,利用硬件描述语言建立一种以低阶微分方程描述的Si微陀螺解析模型,该模型利用Si微陀螺运动特性来描述陀螺模态之间的耦合行为。利用该模型实现了陀螺结构与接口电路的快速混合仿真。对Si微陀螺自激控制环路进行分析制作了实验电路板,并对电路仿真结果进行了实验验证,测试结果与仿真结果趋势一致。实验表明,该方法能够快速有效地验证接口电路的可行性,为设计Si微陀螺接口电路提供了依据。 相似文献
48.
49.
研制了一种基于SFP(Small Form-factor Pluggable)封装的数字可调光衰减器(VOA)模块。该可调光衰减器模块集成了微电子机械系统(MEMS)式的可调光衰减器(VOA)和精密电控制单元,采用标准的SFP封装和接口,实现小型化可插拔,高精度数字化衰减功能。该VOA不仅具有SFP器件特有的高集成度和灵活配置等特点,支持热插拔和即插即用,同时还具有MEMS光衰减器固有的反应速度快、线性度好、高稳定性、高衰减等光学性能,因此在光网络通信设备和光传输系统中具有广泛的应用前景。 相似文献
50.
RF MEMS开关具有低损耗、低功耗、尺寸小和易于集成等优点而被广泛应用于各种可重构射频电路及系统中。通过分析比较电容并联式和串联式RF MEMS开关两种电路结构的射频性能,设计了一种基于RF MEMS开关的新型功率放大器,使用RF MEMS开关控制匹配网络来实现双工作频带的转换。结果表明,设计的功率放大器在2.35GHz和1.25GHz两个工作频带下,功率附加效率(PAE)和输出功率(Pout)可分别达到72%、67%及40.8、42.7dBm。该功率放大器具有较高的功率附加效率和输出功率,适用于多频带的射频系统,对RF MEMS器件在可重构系统中的应用具有一定参考价值。 相似文献