高通量堆NTD硅系统活化剂量计算

根据单晶硅及靶桶材料成分、测量的辐照孔道中子通量谱与辐照时间,采用点燃耗程序ORIGEN与蒙特卡罗程序MCNP耦合计算高通量堆中子嬗变掺杂(NTD)硅辐照系统活化后的外照射剂量当量率及各种活化产物放射性核素衰减变化情况,同时对各种活化核素剂量率贡献及相应衰减时间进行了分析。通过计算结果与堆厅γ电离室剂量率监测对比验证及堆厅屏蔽层厚度的保守估算,表明目前NTD硅系统转运过程屏蔽设计满足辐射防护要求,并提出有益建议。     

燃油直喷发动机的优势及其对MOSFET的新要求

石油价格上涨等各种因素推动了汽车行业对更高等级燃油经济性的需求，而制造商同时又需要满足客户在产品性能方面的期望，这给制造商带来了莫大挑战。一种现实可行的应对策略就是改进所使用的燃油供给机制。本文着重介绍了燃油供给系统的演进以及燃油直喷技术的出现及其对于提高燃油效率和提升性能的作用，并探讨了该技术对于功率MOSFET的要求以及安森美半导体的先进功率MOSFET产品如何应对这些要求。     

NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性

本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.     

焊缝超声波探伤中缺陷智能识别研究

分析超声波A扫探伤过程中焊缝缺陷波动态波形特点,截取数个能反映动态波形特性的波形,并提取该系列波形的特征参数。根据特征参数的变化规律,利用相对变率关联度分析法,结合探头探测方式提出了一种对焊缝缺陷进行智能识别的方法。实验分析表明:相对变率法的引用能为缺陷类型提供有效的智能识别。     

The development and application of silicon Neutron Transmutation Doping (NTD) technology in China

The research and development history of silicon Neutron Transmutation Doping (NTD) technology and its applications at home and abroad are introduced in this paper. The advantages of NTD, compared with conventional technology of doping, are narrated. The principle of NTD as well as the implementation of the main procedures related to Si NTD is explained. The market demand tendency is prospected, and the advanced measures on NTD quality control are described.     

探测器级NTD硅单晶的研制

介绍了探测器级NTD硅单晶的制作工艺 ,并对如何保证探测器级NTD硅单晶的质量进行了讨论。     

NTDCZSi中的辐照施主

中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)在700～900℃范围内退火消除辐照损伤时产生了施主现象,使电阻率低于目标值。它与CZSi中的热施主、新施主有相似的行为,也有明显差异。本文研究了它与热施主、新施主的关系及辐照通量、硅中氧碳杂质对这种施主的产生与浓度的影响。初步认为它可能是以辐照缺陷为核心的“缺陷——杂质(氧、碳)亚稳态复合体”本质上仍属于氧施主范畴。     

Rapid thermal annealing of neutron transmutation doped silicon

Rapid thermal annealing (RTA) of neutron transmutation doped Si wafers is shown to be an alternative to conventional furnace annealing. Measurements of resistivity and deep level transient spectroscopy (DLTS), demonstrated annealing on wafers with diameters up to 75 mm. A 4.5 kW incoherent-light RTA furnace was used. Evidence for crystalline slip was found but this did not appear to affect the results. The slip was more severe for the larger diameter wafers. Some results from a DLTS examination of a partially rapid-thermal-annealed wafer are presented.     

同型半胱氨酸致神经管畸形小鼠模型的建立及其作用机制

目的 建立同型半胱氨酸(homocysteine,Hcy)致神经管畸形(neural tube defect,NTD)的小鼠模型,并探讨其作用机制.方法 以单独使用同型半胱氨酸硫代内酯(homocysteine thiolactone,HTL)及联合胱硫醚-β-合成酶(cystathio-nine-β-synthase...     

高阻NTD-FZ-Si-P~+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ ＦＺ Ｓｉ Ｐ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火,测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命,并对结果进行了分析讨论。