受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域.     

水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒

用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的长度与直径比减小,同时玻璃衬底上生长的ZnO棒从无序分布趋于垂直于衬底平行取向分布.随着pH值的改变,棒的形状由在弱酸性溶液中的细长棒状变为在弱碱性溶液中的圆头对称短棒;当碱性增大到一定程度时,可以生成颗粒状.通过控制一定的酸碱度和溶液浓度,可以得到规则的六角ZnO棒状阵列.测量了样品的XRD和扫描电镜像,并对其发光性能进行了测量分析.其中规则有序六角棒的发光光谱表明峰值在530nm,半高宽为220nm,可能是Vo 的电子和价带中的空穴辐射复合所致.     

类铍离子(Z=21～92)的M1跃迁的X射线激光光谱的理论研究

根据全相对论多组态方法 ,采用GRASP2 程序 ,系统计算了类铍离子等电子序列 (Z =2 1～ 92 )禁戒跃迁(1s2 2 pnd) 1 (n=3～ 4) (1s2 2 p3-d )0 的能级间隔、自发跃迁系数和加权振子强度。结果表明 :高离化度 (q≥ 5 1)离子激发态禁戒跃迁的跃迁几率与中性原子的电偶极E1 的跃迁几率相当。在ICF和MCF高温激光等离子体中 ,其跃迁过程不容忽视。同时 ,对在双电子复合机制下实现粒子数反转的X射线激光工作物质进行了初步探讨。     

主/被动雷达复合制导设备模拟方法研究

近年来反舰导弹导引头普遍采用了主/被动双模复合制导方式.对主/被动雷达复合制导方式进行了分析,根据现有的单模导引头特点,研究了如何对两部单模导引头进行数据关联、融合识别、融合跟踪和时空校准等,制成了主/被动复合制导模拟设备.     

Co/BaTiO3纳米复合薄膜的PLD法制备及其Raman光谱

采用脉冲激光气相沉积（PLD）技术在MgO（100）衬底上生长了Co/BaTiO₃纳米复合薄膜,利用原子力显微镜、透射电镜、X射线衍射（XRD）及Raman光谱等测试分析手段对Co/BaTiO₃纳米复合薄膜进行测试分析。结果表明：薄膜表面均匀、致密,具有原子尺度的光滑性;Co纳米晶粒呈单分散、均匀分散在沿C轴呈单取向生长的BaTiO3单晶基体中;随着掺杂Co含量的增高,BaTiO3的Raman峰的峰强随之增大。     

(Zn_(1/3)Nb_(2/3))~(4+)取代的BNT系无铅压电陶瓷性能

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1–x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN—100x)系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界(MPB)结构。在MPB附近,具有较佳的压电性能:当x为0.020时,d33为97pC/N,kt为0.47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值,低kp值;kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良超声换能材料。     

偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.     

电离总剂量辐照试验流程阐述

空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点.针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐照后测试时间的规定等内容进行了详细的分析.     

UHB-LEDs的市场和技术需求

GaN基LED以每年消耗超过500万片相当于2 in的衬底片成为氮化物材料的最主要用户,其器件产值达到35亿美元.LED的下一个挑战是使市场份额超过普通照明产业.因此,提高美元/流明(($)/lumen)比率是一个关键因素.研究人员为此进行了大量的技术改进:●在管芯层面上,将光子晶体和表面纹理化技术结合,提高了光提取效率.实验室水平的外量子效率已经超过了75%.●在材料层面,用于GaN外延的新型衬底的迅速涌现以及复合衬底的直径达到6 in.这些技术为实现更高LED流明效率和降低成本,通往广阔的固态照明(SSL)产业开启了一扇新的大门.     

LD抽运复合YAG晶体温度场及热透镜效应研究

为了研究复合Nd:YAG激光晶体棒在端面抽运下的温度分布及热透镜效应,采用数值分析法得到了端面抽运激光晶体棒内温度场的数值解,当抽运光功率为18W、光斑半径0.2mm时,吸收系数为3.5/cm的复合晶体内最大温度为73.8℃;同时还得到了径向梯度折射率引起的轴向传播光相位延迟分布ΔΦt(r),并与相同条件下的普通晶体作了比较.结果表明,采用复合晶体可以大幅度降低激光晶体内的温升,并减小端面变形导致的透镜效应;复合晶体内的相位延迟分布ΔΦt(r)与普通晶体的相似,且不满足对半径r的二次方关系;热透镜和参考球面镜透镜的相位延迟分布之间存在畸变Δφ,在r较小(rp)时,相位延迟分布ΔΦt(r)可近似等效于一球面透镜,其等效焦距fGRIN值与普通晶体的接近,在r较大(r>wp)时,畸变Δφ随r增大而急剧增大.