单模光纤最小群速度色散波长附近的调制不稳定性

利用修正的非线性Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程研究了单模光纤最小群速度色散波长附近的调制不稳定性，发现了一个新的由光纤四色散导致的调制不稳定性区域，该区域的调制范围与初始入射脉冲的功率和四阶色散有关。     

一种新型基于石英的热光型光开关

一种采用基于石英的平面光波回路技术（PLC）制造的热光型光开关正越来越引起关注，它具有低耦合损耗、高稳定性及适于大规模集成等优点。首先描述了采用热光相移器构成马赫-曾德于涉仪（MZI）结构的热光型光开关，然后讨论2×2MZI热光型开关的工作原理及基本特性，最后介绍了由2×2MZI热光型开关单元构成的大规模光开关阵列以及一种采用悬梁式结构热光相移器的低功率消耗的光开关。     

GaAs Mach－Zehnder型光波导开关／调制器

采用非对称Ｘ结耦合器代替传统的Ｙ分支器，研制了ＧａＡｓＭａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ型２×２光开光，得到了小于－２２．４ｄＢ的串音比和１２Ｖ左右的开关电压，器件的波导传输损耗小于７ｄＢ／ｃｍ。预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ开关列阵及高速光调制等领域。     

使用光纤放大器的频分复用光纤传输系统

报道了一个使用光纤放大器的两路非相干频分复用光纤传输实验系统。系统采用国产ＤＦＢ激光器作光源，用意大利生产的光纤放大器作在线放大器，用自制的光学谐振腔作光学滤波器和解复用器，采用ＦＳＫ调制制式，将１４０Ｍｂ／ｓ非归零伪随机码传输了５０公里，得到了很好的眼图。在频道间距为１０ＧＨｚ情况下，未观测到邻道干扰和光纤放大器的非线性现象。     

水包油型多彩涂料的生产及施工

介绍了水包油型多彩涂料的组成、各组份的作用、生产工艺路线和工艺参数的选择。对多彩涂料的施工机具和方法作了简单介绍。     

Al,Ga取代Bi：DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究

本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Ａｌ和Ｇａ取代的Ｂｉ：ＤＹＩＧ薄膜，对其磁和磁光特性做了详细研究．Ａｌ和Ｇａ取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力．对于Ｂｉ１．２Ｄｙ１．８Ｆｅ５－ｘＭＸＯ１２（Ｍ＝Ａ１，ＧＺ）薄膜，Ａ１和Ｇ２的最佳替代成份分别为１．０和Ｇ．７；最佳晶化温度分别为７００ｏ℃和６７５℃．在波长５１０ｎｍ附近，法拉第旋转角可达８°／ｕｍ左右．光学吸收和品质因子的研究结果表明，Ａｌ和Ｇａ取代能够影响光学吸收和品质因子，其中Ｇａ取代对光学吸收和品质因子的影响较大．     

美籍华裔专家讲通信工程技术新动态

本文扼要介绍１９９５年北京中美工程技术研讨会通信组五位美籍华裔专家关于通信技术新动态的专题报告。一是宽带综合业务数字网的同步数字系列（ＳＤＨ）和异步转移模式（ＡＴＭ）；二是光纤通信系统的光放大器（ＯＦＡ）、波分多路（ＷＤＭ）、光电子集成（ＯＥＩＣ）、色散补偿和新型光纤；三是蜂窝网车载移动通信和全国性个人通信业务（ＰＣＳ）、时分多址（ＴＤＭＡ）和码分多址（ＣＤＭＡ），四是智能网（ＩＮ）体系结构、概念模型和业务管理系统（ＳＭＳ）；五是数字传输网的恢复（ＦＡＳＴＡＲ）、维护（ＴＭＰ）和供应（ＴＳＮＯＷ）三种管理平台，及综合网络管理系统（ＩＮＭＳ）。     

强度调制／直接检测（IM／DD）光纤通信系统色散限制的研究

通过引入归一化脉宽Ｐ和相对脉冲展宽因子ｑ，提出了一个适用于ＩＭ／ＤＤ系统中各种眼图恶化量ｘ和归一化脉宽Ｐ的色散限制改进公式。通过与其它理论的比较、计算机仿真和对实验数据的分析，验证了该公式的正确性，并给出了其它结果的限制条件。研究表明：当眼图恶化量ｘ为１ｄＢ左右时，对２．５Ｇｂ／；外调制信号（α＝０）而言，非色散位移光纤ＩＭ／ＤＤ系统的色散因子γ约等于０．７９，所对应的系统再生中继距离约为９００余公里。     

G.652光纤上的2.5Gbit／s色散受限系统

本文根据色散受限中继段长度的计算，对实际工程中１５５０ｎｍ波长２．５Ｇｂｉｔ／ｓ系统进行计算比较得出啁啾声引起的色散不容忽视，它使２．５Ｇｂｉｔ／ｓ成为色散受限系统。对１３１０ｎｍ波长６２２Ｍｂｉｔ／ｓ系统，当使用多纵模激光器时，往往也会成为色散受限系统。     

Improvement of the optical properties of electrodeposited CuInSe2 thin films by thermal and chemical treatments

Cu, In and Se have been codeposited in thin films by potentiostatic one-step electrodeposition. The as-deposited material has shown direct optical transitions attributable to the CuInSe₂ semiconductor, but also additional absorption corresponding to another semimetallic phase. The secondary phases are selenium and copper selenide compounds which have been determined by composition measurements. In order to eliminate the semimetallic phases and to improve the semiconductor behaviour of the electrodeposited material, thermal and chemical treatments have been performed. After heat-treatment of the samples at 400°C in flowing argon, elemental selenium loss has been detected together with an enhancement of the allowed direct optical transition. The subsequent chemical etching of the layers in a KCN solution has showed to be successful in eliminating the copper selenide phases which were responsible of the remaining sub-bandgap absorption.