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92.
介绍了RC展宽电路工作原理、稳定工作的条件、防交互干扰措施、窄脉冲宽度τ1=τ2的选择原则,分析了RC展宽电路顶降产生的原因和不可消除性、RC时间常数与脉宽τ的比例关系以及负偏压保存的条件,讨论了铁芯Sc的选择原则和采用平衡变压器的可行性,并提出一种新型的R+ VS2加速网络和更为简化的RC展宽电路. 相似文献
93.
采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9~10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。 相似文献
94.
为适应雷达高功率、小型化的要求,设计一种模拟T/R和变频部分为一体的T/R组件.对结构合理设计,缩减每个通道的宽度,保证后续波束的合成精度,实现小体积下的通道间距.为T/R的多通道、小型化、一体化提供一种设计参考. 相似文献
95.
96.
97.
详细论述了一种具有极低功耗和高本振抑制的发射机,该发射机是射频收发芯片的重要组成部分,它起到将低频基带信号转化成射频信号,并以一定的功率发射出去的作用,由于其结构简单易于实现,具有较高的可靠性,所以可以大规模量产和使用。该发射机适用于时分同步码分多址接入(TD-SCDMA)系统并集成了电阻阵列衰减器(R2R),极大的降低了发射机的功耗。同时,该发射机采用了直流(DC)校正模块,可以极大的改善本振抑制并输出高质量的射频信号。 相似文献
98.
介绍了HCFCs类物质的淘汰新规,分析了一些业已出现的R22制冷剂的替代物的环保性能和替代成本,并分国际市场和国内市场两方面,提出了当前我国R22制冷系统的工质的替代策略。对于欲出口国外的制冷空调设备,应积极应用适用其主流的HFCs类物实施替代,以赢得市场。对于目前已经生产出来正在国内使用或将要在国内使用R22系统设备,应尽量使用一些ODP=0,GWP很低的替代物实施替代,切实保护生态环境和提高中国品牌形象。 相似文献
99.
在集成电路封装过程中,引线框架作为主要的原材料,直接影响到IC产品封装的效率及可靠性,而引线框架的结构是影响效率及可靠性的关键。结合实际着重对引线框架机械结构:矩阵式IDF结构设计,外引线脚、基岛的锁定和潮气隔离结构,引线框架基岛结构设计三个方面做了详细的分析,阐述框架结构设计对产品高效率、高可靠性的贡献。 相似文献
100.
在高压VDMOS器件中,保证足够高的漏源击穿电压BVPT和尽可能低的比导通电阻Ron是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的VDMOS,Ron主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的VDMOS穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ron的理论分析,首次得到了Ron随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。 相似文献