SiC颗粒尺寸及含量对SiCp／2024Al复合材料性能的影响

本文对粉末冶金法制备的SiCp/2024Al复合材料的性能进行了研究。随SiC颗粒尺寸的增大,复合材料的强度降低,而塑性和磨损抗力则增加。SiC颗粒尺寸对复合材料的物理性能没有什么影响。增加SiC颗粒含量,复合材料的强度、模量均增大,磨损抗力亦明显增加,而塑性和热膨胀系数则降低。     

不连续增强镁基复合材料的界面行为

综述了近年来国内外关于Ａｌ２Ｏ３短纤维、ＳｉＣ晶须、ＳｉＣ颗粒、Ｂ４Ｃ颗粒增强镁基复合材料的界面结构及其对复合材料性能影响的研究进展，并对今后的研究提出了一些看法。     

SiC粒子增强铸造Al基复合材料的研制

本文用真空烘烤封罐法对 SiC 粒子进行预处理,在固液两相区内搅拌添加,制造了铸造 Al 基复合材料。测试表明,该复合材料具有铸造性能好,力学性能高的优点,适用于采用压铸、石膏型精密铸造、金属型铸造等工艺方法成型的活塞、连杆等要求苛刻的零件。     

β-SiC晶须的生长及微观结构研究

以高岭土、超细碳粉为原料,采用高温碳热还原方法合成出性能良好的β-SiC晶须。运用XRD,SEM,TEM,EDAX等分析检测技术研究了该晶须的结晶特征及生长机理。结果表明:晶须沿<111>方向具有平行的堆垛层错,横断面呈正三角形,晶须顶端存在螺旋位错。该方法生产的β-SiC晶须,其生长过程为“VS”机理。     

ZnOW／聚氨酯涂料抗静电性能的研究

８ｗｔ．％ＺｎＯ晶须加入聚氨酯涂料，表面电阻率由１０＾１５Ω，抗静电性能良好，本文对ＺｎＯ晶须导电机理作了进一步研究分析。     

升华再结晶法制备AIN晶须及其生长特性

以AIN粉体为原料，加入适量的CaO-B2O3矿化剂，采用升华再结晶法制备AIN晶须．初步探讨了反应器及其合成温度对产物种类的影响，研究了晶须的结构特征及其生长机理．结果表明，初期的合成产物包括AIN晶柱、晶须和非晶AIN纤维，以VLS机制生长：后期产物为AIN晶须，表现为VS生长机制：XRD及TEM分析表明，晶须大多呈现沿｛2110｝、｛101l｝和｛0001｝，l＝0、1、2、3的晶面生长．多数晶须宏观生长轴向平行于这些晶面的法线，而部分晶须由于发生斜生长，导致宏观生长轴向与这些晶面的法线斜交．     

基于碳化硅器件的无线充电系统电源设计

碳化硅(SiC)器件耐高频高温、散热性能好、导通电阻小,应用于无线充电系统可有效提高无线充电系统的效率。文中首先对比了SiC材料与Si材料的特性,在此基础上研制了一套基于SiC器件的无线充电系统电源装置。该装置由整流模块和逆变模块构成,输入端接市电,且装置的整流模块具有功率因数校正功能。文中详细给出了整流模块的整流桥选型策略、滤波电路参数设计方法、Boost电路功率器件和无源元件设计原则及开关管控制电路设计方法,还给出了逆变模块的开关管选型策略、开关管驱动电路和开关管保护电路的设计方法。最后,实验结果验证了方案的有效性和可行性,输入侧实现了高功率因数,逆变电路开关管电压振荡得到抑制,实验样机的效率峰值可达98.2%。     

SiC含量对SiCp/Al复合材料摩擦性能的影响

采用粉末冶金技术制备了SiC_p/Al复合材料,探讨了SiC颗粒质量分数对SiC_p/Al复合材料密度、布氏硬度、微观形貌以及摩擦磨损性能的影响。结果表明,SiC颗粒表面形成了少量可提高界面结合性的Al₄C₃化合物。随着SiC质量分数增加,SiC_p/Al复合材料的密度没有明显的变化,当SiC质量分数增加至25%时,密度明显下降。SiC_p/Al复合材料的布氏硬度随着SiC质量分数的增加呈先增长后减小的变化趋势。当SiC质量分数为20%时,材料的硬度最优（HBW 114）,平均摩擦系数达到最大值（0.3425）,摩擦后试样表面形貌平整且犁沟较浅,SiC颗粒未出现明显剥落。     

Synthesis of Ti3SiC2 by spark plasma sintering(SPS)of elemental powders

Ti3SiC2 materials have been fabricated by spark plasma sintering of the elemental powders with the addition of Al.At the heating rate of 80℃/min and under the pressure of 30MPa,the ideal synthesis temperature of Ti3SiC2 is in the range of 1150-1250℃.The addition of Al is in favor of the formation of Ti3SiC2.The synthesized compound has the molecular of Ti3Si0.8Al0.2C2 and lattice parameters of α=0.3069nm,c=1.7670nm.Its grain is plane-shape with a size of about 50μm in the elongated dimension.The prepared material has Vickers hardness of 3.5-5.5GPa(at 1N and 15s) and is as readily machinable as graphite‘s.     

Thixoforming of SiC ceramic matrix composites in pseudo-semi-solid state

1INTRODUCTIONIt has great economic profit to exploit the uti-lization of SiC ceramic material for its strength,hardness,wear resistance,corrosion resistanceand high temperature resistance,abundant re-source and low price.But the brittle charactergreatly restricts its application in the field of engi-neering structure materials.Recently a series ofceramic matrix composites with exi mious perform-ance have been developed by reinforcing the matrixmaterial with other materials.Al/SiC is a la…