利用光电子能谱研究氧化锌压敏电阻界面电输运特性

采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 祄,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长。界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97佟m。价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充。     

基于F型管壳的旋转缝焊技术研究

本文深入研究了旋转缝焊技术,讨论了缝焊中焊边受力、速度变化和热量分布情况,分析了影响旋转缝焊气密性的主要因素.     

Electrical characteristics of a 6H-SiC epitaxial layer grown by chemical vapor deposition on porous SiC substrate

Porous SiC (PSC) has been proposed as a buffer layer for reducing defects in epitaxial SiC layers. In this study, electrical characteristics of a 6H-SiC epitaxial layer grown by chemical vapor deposition on a porous SiC substrate (SiC-on-PSC) have been compared to those simultaneously grown on a standard SiC substrate (SiC-on-STD). Schottky barrier diodes (SBDs) have been fabricated on both epitaxial layers and then investigated with temperature-dependent current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), and deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements. The SBDs on both SiC-on-PSC and SiC-on-STD show about the same I-V and C-V characteristics, and at least four electron traps, i.e., B (0.75 eV), C (0.63 eV), D (0.40 eV), and E (0.16 eV), can be identically found in both SBDs by DLTS measurements. Thus, we conclude that the electrical quality of SiC-on-PSC is comparable to that of SiC-on-STD, and that the higher breakdown voltages observed in SBDs on SiC-on-PSC are not obviously related to a different defect structure.     

用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成

利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析.结果表明,高温氧化SiO2/4H-SiC界面,类石墨碳较多,除Si1 成分外,还存在Si2 和Si3 两种低值氧化物.三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善.     

连续侧面泵浦Nd:YAG陶瓷激光器被动调Q研究

对比研究了808 nm激光二极管列阵侧面泵浦Nd∶YAG陶瓷与Nd∶YAG单晶激光器在连续和被动调Q运转下的激光输出特性。对于Nd∶YAG陶瓷激光器,在145 W泵浦功率,平平谐振腔20%输出耦合镜透过率时,获得最大44.28 W的1 064 nm连续激光输出,光-光转化效率和斜效率分别为30.5%和38.2%. 谐振腔中插入初始透过率87.89%的Cr⁴⁺∶YAG晶体作为被动调Q开关,在124 W泵浦功率下获得10.03 kHz重复频率,4.62 W平均功率,5.54 kW峰值功率的准连续激光输出。同样实验条件下利用相同尺寸和掺杂浓度的Nd∶YAG单晶进行对比,结果表明Nd∶YAG陶瓷在高功率泵浦下具有广阔的应用前景。     

国内外碳化硅功率器件发展综述

对国内外碳化硅(Silicon Carbide,SiC)单晶衬底技术、外延片技术、功率器件性能特点进行了归纳分析,指出SiC功率器件产品在应用中面临的问题:SiC功率器件驱动技术和保护技术尚不成熟、电磁兼容问题未完全解决和应用的电路拓扑不够优化等.针对这些问题应从以下几个方面着手发展:降低单晶衬底和外延片材料成本、降低SiC器件在高温下的损耗和开发新的适合SiC功率器件的封装技术.     

多层流延坯片的叠层工艺研究进展

流延坯片的叠层是多层陶瓷技术中最为重要的工艺之一。叠层工艺直接影响到电子器件三维结构(如通道、腔室及隔膜等)的质量。对叠层工艺如热压法叠层及其改进型技术、粘合基叠层、溶剂基叠层等进行综述,并对各种叠层方法的特点、研究进展及应用进行叙述。     

6H-SiC单极功率器件性能的温度关系

基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性     

平行缝焊工艺的热效应研究

平行缝焊作为一种高可靠性的气密性密封方法,在陶瓷封装行业中有着愈发重要的应用。封焊过程中瞬间产生的高能量在完成密封的同时,会对陶瓷外壳造成很高的热应力残留,可能会对器件可靠性产生影响。介绍了平行缝焊的工作原理及工艺参数,并通过使用ANSYS软件对工艺过程中的各参数进行热仿真分析,研究平行缝焊工艺参数对陶瓷封装的热影响。     

Al2O3基陶瓷抗弹性能的研究

以添加ZrO2的Al2O3基陶瓷材料为研究对象,经过成分优化设计以及成型、烧结工艺优化设计,制备出性能高且稳定的材料;并采用模拟穿甲弹和破甲弹对装甲钢、几种陶瓷材料进行了对比试验,测定了防护系数;并分析了几种材料抗穿、破甲弹防护系数不同的原因。