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991.
介绍了一种400~520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400~520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。 相似文献
992.
993.
P. Ravirajan S.A. Haque J.R. Durrant D.D.C. Bradley J. Nelson 《Advanced functional materials》2005,15(4):609-618
We report a study of the effects of polymer optoelectronic properties on the performance of photovoltaic devices consisting of nanocrystalline TiO2 and a conjugated polymer. Three different poly(2‐methoxy‐5‐(2′‐ethylhexoxy)‐1,4‐phenylenevinylene) (MEH‐PPV)‐based polymers and a fluorene–bithiophene copolymer are compared. We use photoluminescence quenching, time‐of‐flight mobility measurements, and optical spectroscopy to characterize the exciton‐transport, charge‐transport, and light‐harvesting properties, respectively, of the polymers, and correlate these material properties with photovoltaic‐device performance. We find that photocurrent is primarily limited by the photogeneration rate and by the quality of the interfaces, rather than by hole transport in the polymer. We have also studied the photovoltaic performance of these TiO2/polymer devices as a function of the fabrication route and device design. Including a dip‐coating step before spin‐coating the polymer leads to excellent polymer penetration into highly structured TiO2 networks, as was confirmed through transient optical measurements of the photoinduced charge‐transfer yield and recombination kinetics. Device performance is further improved for all material combinations studied, by introducing a layer of poly(ethylene dioxythiophene) (PEDOT) doped with poly(styrene sulfonic acid) (PSS) under the top contact. Optimized devices incorporating the additional dip‐coated and PEDOT:PSS layers produced a short‐circuit current density of about 1 mA cm–2, a fill factor of 0.50, and an open‐circuit voltage of 0.86 V under simulated AM 1.5 illumination (100 mW cm–2, 1 sun). The corresponding power conversion efficiency under 1 sun was ≥ 0.4 %. 相似文献
994.
Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微电子平面工艺,射频溅射Mo作肖特基接触,电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触,三级场限环终端表面保护.并通过对Mo接触进行合理的高温退火,不降低理想因子和反向耐压特性情况下,有效控制肖特基势垒高度在1.2~1.3 eV范围内,成功研制出高耐压低损耗Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管.其特性测试结果为:击穿电压Vb为3000V,串联导通电阻Ron为9.2mΩ·cm2,Vb2/Ron为978MW/cm2. 相似文献
995.
回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm. 相似文献
996.
V. Anjos M.J.V. Bell E.F. da Silva Jr. R.W.A. Franco I.A. Esquef 《Microelectronics Journal》2005,36(11):977-980
In this paper we report the use of photothermal techniques such as Thermal lens (TL) spectrometry, Photoacoustic and heat capacity, ρcp, to determine the thermo-optical parameters, such as thermal conductivity (K), thermal diffusivity (D), specific heat (cp) and the optical path dependence with temperature (ds/dT), of an undoped polycrystalline 3C-SiC. To our knowledge, this is the first time that Thermal lens technique is used for wide band-gap systems. Results obtained for the polycrystalline sample with TL technique indicates that ds/dT is negative at room temperature. Moreover, the obtained values of thermal diffusivity and thermal conductivity are in good agreement with that found in the literature, indicating that the phototermal techniques can be used to obtain the referred parameters in circumstances where other techniques cannot be used, for example, in harsh environments. 相似文献
997.
用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以上。通过显微结构分析发现,高纯Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的Al2O3晶粒反应,后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。 相似文献
998.
999.
为减小压电陶瓷的迟滞非线性对系统跟踪精度的影响,该文采用经典的存在逆解析的PI迟滞模型对压电陶瓷的迟滞特性进行建模,将PI模型的逆模型用于压电陶瓷的前馈控制算法中,然后设计了神经元比例、积分、微分(PID)反馈控制算法,将前馈控制算法与神经元PID反馈控制算法结合得到了压电陶瓷的复合控制算法。将仅含前馈的控制算法和复合控制算法在压电陶瓷的控制器上执行,实验结果表明,仅含前馈的控制算法的跟踪误差为1.256μm,而复合控制算法的跟踪误差仅为0.092μm,该复合控制算法使跟踪精度提高了1.164μm。 相似文献
1000.
用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率,当组分均方差小于0.005时,横向组分波动对透射光谱影响可以忽略.用新的组分分布模型计算了HgCdTe/CdZnTe液相外延薄膜的理论透射光谱,并运用非线性二乘法使理论曲线能够很好地与实验结果吻合,从而获得了更加可信的HgCdTe外延薄膜的纵向组分分布和厚度参数. 相似文献