线型聚羧酸陶瓷减水剂的合成及应用研究

通过对羧酸系减水剂与粘土作用机理的分析,按照DLVO双电层理论和空间位阻理论进行聚羧酸系陶瓷减水剂的分子设计,选用丙烯酸、甲基丙烯磺酸钠为原料,通过水溶液调节共聚合的方法合成了一种线型聚羧酸系高效陶瓷减水剂。研究了单体配比、引发剂种类及用量、反应时间及反应温度等因素对减水剂结构和性能的影响。结果表明,在温度为80℃条件下以过氧化物为引发剂,AA∶MAS摩尔配比为3∶1,反应5小时,减水剂的性能最佳,在添加量为0.4%～0.6%范围内,其减水率可达32%。     

纳米复相陶瓷的制备及性能研究进展综述

本文综述了纳米复相陶瓷的研究进展。介绍了纳米复相陶瓷的分类及制备技术,详细地阐述了纳米复相陶瓷的力学性能和微观结构,分析了提高其断裂强度、断裂韧性及抗蠕变性等性能的机理。     

现代陶艺在环境空间中的应用

空间对于现代陶艺和环境建筑同样重要。陶艺空间和建筑空间因功能要求而定。现代陶艺以各种形式置身于环境空间之中,需要和它相适应的装饰语言。空间意识的改变,会产生一种全新的公共空间。增强人们对建筑与人文环境认识,将建筑的规模缩小为自然与人的空间。现代陶艺不仅构筑的是结构形体的空间,更表现的是一种博大的容纳品性。     

机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响

采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。     

脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究

陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应, 一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷, 采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验, 通过对陶瓷击穿过程的分析和对比, 研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示, 不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7 μs之内, 典型的压降曲线分为三个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成; 第二阶段对应于晶界击穿; 第三个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示, 晶粒击穿过程的持续时间最长, 晶界次之, 气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下, 样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。     

银粉对PZT压电陶瓷电极表面结构和性能的影响

本文重点讨论不同银粉对PZT（PbZrO3-PbTiO3)压电陶瓷电极表面结构及性能的影响。选择合适的银粉，配制成银浆，可以烧结出结构平整，致密，性能优良的PZT表面银电极。     

BaPbO3／BaTiO3系复合陶瓷的研究

报道了导电陶瓷ＢａＰｂＯ３与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ３进行复合的结果，研究了该复合功能陶瓷的物相、导电性和低温电阻温度特性。结果表明：采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料，该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为。     

Effect of sintering temperature on varistor properties and aging characteristics of ZnO–V2O5–MnO2 ceramics

The microstructure, electrical properties, dielectric characteristics, and DC accelerated aging behavior of the ZVM-based varistors were investigated for different sintering temperatures of 800–950 °C. The microstructure of the ZVM-based ceramics consisted of mainly ZnO grain and secondary phase Zn₃(VO₄)₂, which acts as liquid-phase sintering aid. The Zn₃(VO₄)₂ has a significant effect on the sintered density, in the light of an experimental fact, which the decreases of the Zn₃(VO₄)₂ distribution with increasing sintering temperature resulted in the low sintered density. The breakdown field exhibited the highest value (17,640 V/cm) at 800 °C in the sintering temperature and the lowest value (992 V/cm) at 900 °C in the sintering temperature. The nonlinear coefficient exhibited the highest value, reaching 38 at 800 °C and the lowest value, reaching 17 at 850 °C. The varistor sintered at 900 °C exhibited not only high nonlinearity with 27.2 in nonlinear coefficient, but also the highest stability, in which %ΔE_1 mA = −0.6%, %Δα = −26.1%, and %Δ tan δ = +21.8% for DC accelerated aging stress of 0.85 E_1 mA/85 °C/24 h.     

自蔓延离心熔铸TiB2-(Ti,W)C-TiC陶瓷研究

基于离心热爆反应、难熔液相分离与快速凝固原理,选取(WO3+Al+C)体系辅助(B4C+Ti)反应体系,采用自蔓延离心熔铸工艺可以成功制备出TiB2微纳米晶补强TiC-(Ti,W)C陶瓷基复合材料.将(B4C+Ti)、(WO3+Al+C)两种反应体系依次装填入坩埚中进行SHS离心熔铸实验,发现因W-Ti-C液相动力学粘度的降低、Al2O3液滴迁移路程减小,极大促进Al2O3液滴的Stokes上浮过程,故而显著减小残存于陶瓷基体上的氧化物夹杂含量与尺寸,进而TiB2微纳米片晶诱发的强烈自增韧机制与Al2O3微纳米晶产生的残余应力增韧效应,使得TiB2-(Ti,W)C-TiC陶瓷的弯曲强度、断裂韧性与维氏硬度分别达到(952±25)MPa、(12.6±2.5)MPa·m1/2与(28.6±1.2)GPa.     

高镁瓷工艺特性研究和应用

本文总结了ＭｇＯ－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３系的高镁瓷配方、增塑及烧成工艺特性的研究过程与应用结果；介绍了适应大生产的高镁瓷制作工艺。